1. No category

c
dtf.pdf versio 1.5 Kimmo
Silvonen, Aalto ELEC Sähköpaja, Sähkötekniikka ja elektroniikka
u
Anodi-
DIODI
eu/(nUT )
i = IS
u = nUT ln
i+IS
IS
di
du
Kollektori
dT I on vakio
Kanta
C(ollector)
uEC = uEB − uCB
|iC |
6
Itseisarvomerkkejä ei tarvita, B(ase)
Itseisarvomerkkejä ei tarvita,
uEC
uCE
-
iB
jos suunnat valitaan kuvan
uCE ≥ 0,3 V:
iC +IS
IS
(Ebers–Moll) iB =
IS
β
IS
βR
euBC /UT − 1
IS
α
(Ebers–Moll) |iE | =
ICB0 =
IS
αR
IS euEB /UT − 1 −
IS
β
IEB0 =
IS
α
iC −βiB
βαR −β−1
rπ =
gm =
Transkonduktanssi
APLAC (Ebers–Moll)
|IC |
UT
=
IS
α
IS
βR
euCB /UT − 1
euEB /UT − 1 − IS euCB /UT − 1
|iC |−β|iB |
βαR −β−1
|i |−β|iB |
R −β−1
re =
UT
|IE |
ro =
|UA |
|IC |
UA < 0
ic = gm uπ = gm rπ ib = βib
uπ = ube
Trans T C B E NPN BETA=99 AF=0.99 AR=0.5 VT DIODE_BE IS N DIODE_BC IS N
e-nmosfet
Nielu D(rain)
iD
d-nmosfet
njfet
iD
?
iD
?
G
G(ate)
e-pmosfet
d-pmosfet
|iD |
?
|iD |
6
G
G
pjfet
-
Hila
-
Lähde S(ource)
Ut > 0
kW
L
=
1 0W
k L
2
d(epletion)
j(unction)
S
Ut < 0
=
S
e(nhancement)
Ut = UP < 0
W
1
µ C
2 n OX L
S
S
Ut < 0
kW
L
2
IDSS /UP
=
Ut > 0
1 0W
k L
2
=
uDS ≥ uGS − Ut
Sulkutila (iD = 0)
uGS ≤ Ut
uGS ≥ Ut
Johtavuustila
uGS ≥ Ut
uGS ≤ Ut
uDS ≥ 0
uDS ≤ 0
APLAC (enh./depl.)
APLAC (jfet)
iG = 0
iG = 0
iG = 0
UA > 0
|iD | = |iS | = K(uGS − Ut )2 (1 + λuDS )
u2DS
|iD | = |iS | = K 2(uGS − Ut )uDS −
|iD | = |iS | =
|uDS |
rDS
λ=
1
UA
gm = 2K |UGS − Ut | = 2
K|ID |
Ut = UP > 0
2
IDSS /UP
Huom. suunta yllä
Huom. suunta yllä
≈ 2K(uGS − Ut )uDS
p
S
W
1
µ C
2 p OX L
uDS ≤ uGS − Ut
Kanavan jännite
6
G
Triodialue (TRI)
Transkondukt., Early-j.
|iD |
6
G
uDS ≤ uGS − Ut
Ohminen alue
≈ 0,7 V
uDS ≥ uGS − Ut
TRI-alue
|iC |+IS
IS
euCB /UT − 1
Saturaatioalue (SAT)
SAT-alue
α
1−α
C
IS euCB /UT = IS + αR βα
UT
|IB |
β
rπ
euEB /UT − 1 +
IS
αR
IS euEB /UT = |iC | + IS +
R
UA > 0
β = βF =
uEB = UT ln
euBE /UT − 1 − IS euBC /UT − 1
β
β+1
kT
q
iC −βiB
IS euBC /UT = IS + αR βα
−β−1
(Ebers–Moll) B–C
Johtavuusparametri K
IS euBE /UT = iC + IS +
(Ebers–Moll) B–E
Kynnys-/kuristusjännite
α = αF =
UT =
euBC /UT − 1
euBE /UT − 1 +
I i
@
mukaisesti; IEC määrittelee
E
virtojen suunnat sisäänpäin.
E(mitter) @ |iC | = β|iB | = α|iE |
≈ 0,7 V
jos suunnat valitaan kuvan
|iB |
R
@ |i | ? mukaisesti; IEC määrittelee
E
virtojen suunnat sisäänpäin.
Emitteri @-
uBE = UT ln
Lämpöjännite
pnp-transistori
IS
αR
uGS = UGS + ugs
uDS = UDS + uds
iD = ID + id
iG = 0
k = 1,380658 · 10−23 J/K
kT
q
q = 1,60217733 · 10−19 As
IS euBE /UT − 1 −
Avaus/Sulku/Liitos-FET
V
≈ n U −1,2
T
nUT
ID
=
i=ID
(Ebers–Moll) iC =
Dyn. resistanssi, Early-j.
UT =
uCE = uBE − uBC
iC
Virtavahvistus
Jännite
dU V−U
I
≈ q 1,2
nkT 2
npn-transistori
BJT Bipolar Junction Transistor
uBE = UBE + ube
uCE = UCE + uce
i B = IB + ib
iC = IC + ic
|iE | = |iB | + |iC |
dI
dT U on vakio
≈ 0,7V
1
rd =
Dynaaminen resistanssi
−1
BV ≈ UZ + 0,7 V
VT=25.86496647m
APLAC
Diode D 1 2 IS=10f N=1 VT BV = ∞
i
Virtayhtälö
Jännite
pn − liitos
@ Katodi
kun |uDS | on pieni
ro ≈
|UA |
|ID |
Mosfet Q D G S B N(P) L=0.1m W=0.1m KP UO (µn(p) /[cm2 /Vs]) COX VTO LAMBDA=0
Jfet Q D G S N(P) VTO=-2 LAMBDA=0 BETA (= K)
UA < 0
K=
1
KP W
2
L