Layoutrichtlinien - Walter Schoch AG
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Seite 3 von 4 Layoutrichtlinien Symbol Beschreibung description Standard Fein HDI andere Werte auf Anfrage Bemerkungen A Leiterbahn breite Aussenlage Track width on outer Layer wenn G = 35µm gilt ≥ 200µm wenn G = 70µm gilt ≥ 250µm wenn G = 105µm gilt ≥ 350µm wenn G = 35µm gilt ≥ 150µm wenn G = 70µm gilt ≥ 200µm wenn G = 105µm gilt ≥ 300µm wenn G = 35µm gilt ≥ 100µm spezielle Kupferkaschierungen auf Anfrage B Leiterbahnabstand Aussenlage Kontakstellenabstand Aussenlage Kontaktstelle zu Leiterbahn Aussenlage Kontaktstelle zu Kupferfläche Track to Track clearance on outer Layer Pad to Pad clearance on outer Layer Pad to Track clearance on outer Layer Pad to Polygon clearance wenn G = 35µm gilt ≥ 200µm wenn G = 70µm gilt ≥ 250µm wenn G = 105µm gilt ≥ 350µm wenn G = 35µm gilt ≥ 150µm wenn G = 70µm gilt ≥ 200µm wenn G = 105µm gilt ≥ 300µm wenn G = 35µm gilt ≥ 100µm C Gebohrte Kontaktstelle Aussenlage Drilled Pad size on outer Layer wenn G = 35µm gilt C - J ≥ 400µm wenn G = 70µm gilt C - J ≥ 480µm wenn G = 105µm gilt C - J ≥ 540µm wenn G = 35µm gilt C - J ≥ 300µm wenn G = 70µm gilt C - J ≥ 380µm wenn G = 105µm gilt C - J ≥ 420µm wenn G = 35µm gilt C - J ≥ 200µm D Loch Enddurchmesser Hole End diameter D = J - 150µm bei HAL Oberfläche D = J - 100µm bei den restlichen Oberflächen D = J - 150µm bei einer HAL Oberfläche D = J - 100µm bei den restlichen Oberflächen D = J - 100µm E Freistellfläche Lötstopp Pad size Soldermask E - C oder F = 120µm E - C oder F = 100µm E - C oder F = 90µm F SMD Kontaktstelle SMD Pad size on outer Layer wenn G = 35µm gilt ≥ 200µm wenn G = 70µm gilt ≥ 250µm wenn G = 105µm gilt ≥ 350µm wenn G = 35µm gilt ≥ 150µm wenn G = 70µm gilt ≥ 200µm wenn G = 105µm gilt ≥ 300µm wenn G = 35µm gilt ≥ 100µm G Kupferkaschierung Struktur aufgebaut Final copper thickness on outer Layer 35µm, 70µm, 105µm 35µm, 70µm, 105µm 35µm spezielle Kupferkaschierungen auf Anfrage H Kennzeichnungsdruck zu Kontaktstellen Silkscreen to Component Pads ≥ 180µm ≥ 180µm ≥ 180µm Mehrpreis für photosensitiver Kennzeichnungsdruck ≥ 120µm möglich I Struktur Kennzeichnungsdruck Minimum Overlay width ≥ 130µm ≥ 130µm ≥ 130µm Mehrpreis für photosensitiver Kennzeichnungsdruck ≥ 100µm möglich J Bohrdurchmesser Drill hole ≥ 350µm (J = D + Bohrzugabe) ≥ 1 : 8 Aspect Ratio Bsp. T = 2800µm J ≥ 350µm ≥ 200µm (J = D + Bohrzugabe) ≥ 1 : 8 Aspect Ratio Bsp. T = 1600µm J ≥ 200µm ≥ 150µm (J = D + Bohrzugabe) ≥ 1 : 10 Aspect Ratio Bsp. T = 1500µm J ≥ 150µm Bohrzugabe bei HAL 150µm sonst 100µm Allgemeine Bohrtoleranzen -50µm +70µm Kleinere Bohrungen auf Anfrage Siehe D (Loch Enddurchmeser) K Kupfer Innen- und Aussenlage zum Umfang Pulback (on outer and inner Layer) ≥ 300µm wenn Umfang gefräst ≥ 600µm wenn Umfang geritzt ≥ 250µm wenn Umfang gefräst ≥ 400µm wenn Umfang geritzt ≥ 150µm wenn Umfang gefräst ≥ 400µm wenn Umfang geritzt Achtung Isolation beachten! L Kupferkaschierung Struktur geätzt Copper thickness on inner Layer 18µm, 35µm, 70µm, 105µm 18µm, 35µm, 70µm, 105µm 18µm, 35µm spezielle Kupferkaschierungen auf Anfrage M Isolation zwischen zwei Kupferflächen Split Planes clearance wenn L = 18µm gilt ≥ 250µm wenn L = 35µm gilt ≥ 250µm wenn L = 70µm gilt ≥ 300µm wenn L = 105µm gilt ≥ 350µm wenn L = 18µm gilt ≥ 200µm wenn L = 35µm gilt ≥ 200µm wenn L = 70µm gilt ≥ 250µm wenn L = 105µm gilt ≥ 300µm wenn L = 18µm gilt ≥ 150µm wenn L = 35µm gilt ≥ 180µm N Isolation Kupferfläche zu Kontaktstelle & Leiterbahn Pad & Track to Plane clearance wenn L = 18µm gilt ≥ 150µm wenn L = 35µm gilt ≥ 200µm wenn L = 70µm gilt ≥ 250µm wenn L = 105µm gilt ≥ 300µm wenn L = 18µm gilt ≥ 120µm wenn L = 35µm gilt ≥ 150µm wenn L = 70µm gilt ≥ 200µm wenn L = 105µm gilt ≥ 250µm wenn L = 18µm gilt ≥ 100µm wenn L = 35µm gilt ≥ 120µm O Leiterbahnabstand Innenlage Kontaktstelle zu Leiterbahn Innenlage Kontaktstellenabstand Innenlage Track to Track clearance on inner Layer Pad to Track clearance on inner Layer Pad to Pad clearance on inner Layer wenn L = 18µm gilt ≥ 150µm wenn L = 35µm gilt ≥ 200µm wenn L = 70µm gilt ≥ 250µm wenn L = 105µm gilt ≥ 300µm wenn L = 18µm gilt ≥ 120µm wenn L = 35µm gilt ≥ 150µm wenn L = 70µm gilt ≥ 200µm wenn L = 105µm gilt ≥ 250µm wenn L = 18µm gilt ≥ 100µm wenn L = 35µm gilt ≥ 120µm P Leiterbahn Innenlage Track width on inner Layer wenn L = 18µm gilt ≥ 150µm wenn L = 35µm gilt ≥ 200µm wenn L = 70µm gilt ≥ 250µm wenn L = 105µm gilt ≥ 300µm wenn L = 18µm gilt ≥ 120µm wenn L = 35µm gilt ≥ 150µm wenn L = 70µm gilt ≥ 200µm wenn L = 105µm gilt ≥ 250µm wenn L = 18µm gilt ≥ 100µm wenn L = 35µm gilt ≥ 120µm Q Leiterbahn Innenlage zu Loch Enddurchmesser Track clearance on inner Layer to Hole wenn L = 18µm gilt ≥ 200µm wenn L = 35µm gilt ≥ 240µm wenn L = 70µm gilt ≥ 340µm wenn L = 105µm gilt ≥ 440µm wenn L = 18µm gilt ≥ 200µm wenn L = 35µm gilt ≥ 240µm wenn L = 70µm gilt ≥ 340µm wenn L = 105µm gilt ≥ 440µm wenn L = 18µm gilt ≥ 200µm wenn L = 35µm gilt ≥ 240µm R Isolierte Löcher in den Kupferflächen der Innenlagen Plane clearance (from holes) wenn L = 18µm gilt R - J ≥ 540µm wenn L = 35µm gilt R - J ≥ 540µm wenn L = 70µm gilt R - J ≥ 620µm wenn L = 105µm gilt R - J ≥ 680µm wenn L = 18µm gilt R - J ≥ 520µm wenn L = 35µm gilt R - J ≥ 520µm wenn L = 70µm gilt R - J ≥ 600µm wenn L = 105µm gilt R - J ≥ 660µm wenn L = 18µm gilt R - J ≥ 500µm wenn L = 35µm gilt R - J ≥ 500µm S Kontaktstelle Innenlage Pad size on inner Layer wenn L = 18µm gilt S - D ≥ 440µm wenn L = 35µm gilt S - D ≥ 440µm wenn L = 70µm gilt S - D ≥ 520µm wenn L = 105µm gilt S - D ≥ 580µm wenn L = 18µm gilt S - D ≥ 340µm wenn L = 35µm gilt S - D ≥ 340µm wenn L = 70µm gilt S - D ≥ 420µm wenn L = 105µm gilt S - D ≥ 460µm wenn L = 18µm gilt S - D ≥ 300µm wenn L = 35µm gilt S - D ≥ 340µm T Leiterplatten dicke PCB thickness Innenlage Core Bsp. J = 200µm T ≤ 1600µm max. 16 Lagen ≥ 100µm Bsp. J = 150µm T ≤ 1500µm max. 30 Lagen ≥ 75µm Auf Aspect Ratio achten Anzahl Lagen und Lagenaufbau beachten U Bsp. J = 350µm T ≤ 1600µm max. 8 Lagen ≥ 200µm V Prepreg Prepreg ≥ 65µm ≥ 65µm ≥ 55µm spez. Lagenaufbau auf Anfrage W Sackloch tiefe Blind Hole depth - W≤D W≤D ≤ 1 : 1 Aspect Ratio X Unterauftrag Subjob bei den Äusseren Lagen gilt G = 30µm beachte Lagenaufbau 1. Verpressung Y innenliegende Durchkontaktierung Buried via U ≥ 200µm + G = 30µm metallisierte Innenlage Z gestackte Sacklöcher stacked Blind via Z - D blind ≥ 40µm gestufte Sacklöcher Version 1.2 erstellt: 20.12.2010 C.S. geändert: 02.03.2011 C.S. keine HAL Oberflächen für HDI Abhängig von T (Leiterplatten dicke) Siehe J (Bohrdurchmesser) Allgemeine Bohrtoleranzen beachten Layout immer mit Enddurchmesser anliefern spez. Lagenaufbau auf Anfrage genehmigt: 03.03.2011 W.S. Seite 4 von 4
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