Version: 1.2
erstellt: 20.12.2010 C.S.
geändert: 02.03.2011 C.S.
genehmigt: 03.03.2011 W.S.
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Layoutrichtlinien
Symbol Beschreibung
description
Standard
Fein
HDI andere Werte auf Anfrage
Bemerkungen
A
Leiterbahn breite Aussenlage
Track width on outer Layer
wenn G = 35µm gilt ≥ 200µm
wenn G = 70µm gilt ≥ 250µm
wenn G = 105µm gilt ≥ 350µm
wenn G = 35µm gilt ≥ 150µm
wenn G = 70µm gilt ≥ 200µm
wenn G = 105µm gilt ≥ 300µm
wenn G = 35µm gilt ≥ 100µm
spezielle Kupferkaschierungen auf Anfrage
B
Leiterbahnabstand Aussenlage
Kontakstellenabstand Aussenlage
Kontaktstelle zu Leiterbahn Aussenlage
Kontaktstelle zu Kupferfläche
Track to Track clearance on outer Layer
Pad to Pad clearance on outer Layer
Pad to Track clearance on outer Layer
Pad to Polygon clearance
wenn G = 35µm gilt ≥ 200µm
wenn G = 70µm gilt ≥ 250µm
wenn G = 105µm gilt ≥ 350µm
wenn G = 35µm gilt ≥ 150µm
wenn G = 70µm gilt ≥ 200µm
wenn G = 105µm gilt ≥ 300µm
wenn G = 35µm gilt ≥ 100µm
C
Gebohrte Kontaktstelle Aussenlage
Drilled Pad size on outer Layer
wenn G = 35µm gilt C - J ≥ 400µm
wenn G = 70µm gilt C - J ≥ 480µm
wenn G = 105µm gilt C - J ≥ 540µm
wenn G = 35µm gilt C - J ≥ 300µm
wenn G = 70µm gilt C - J ≥ 380µm
wenn G = 105µm gilt C - J ≥ 420µm
wenn G = 35µm gilt C - J ≥ 200µm
D
Loch Enddurchmesser
Hole End diameter
D = J - 150µm bei HAL Oberfläche
D = J - 100µm bei den restlichen
Oberflächen
D = J - 150µm bei einer HAL Oberfläche
D = J - 100µm bei den restlichen
Oberflächen
D = J - 100µm
E
Freistellfläche Lötstopp
Pad size Soldermask
E - C oder F = 120µm
E - C oder F = 100µm
E - C oder F = 90µm
F
SMD Kontaktstelle
SMD Pad size on outer Layer
wenn G = 35µm gilt ≥ 200µm
wenn G = 70µm gilt ≥ 250µm
wenn G = 105µm gilt ≥ 350µm
wenn G = 35µm gilt ≥ 150µm
wenn G = 70µm gilt ≥ 200µm
wenn G = 105µm gilt ≥ 300µm
wenn G = 35µm gilt ≥ 100µm
G
Kupferkaschierung Struktur aufgebaut
Final copper thickness on outer Layer
35µm, 70µm, 105µm
35µm, 70µm, 105µm
35µm
spezielle Kupferkaschierungen auf Anfrage
H
Kennzeichnungsdruck zu Kontaktstellen
Silkscreen to Component Pads
≥ 180µm
≥ 180µm
≥ 180µm
Mehrpreis für photosensitiver Kennzeichnungsdruck ≥ 120µm möglich
I
Struktur Kennzeichnungsdruck
Minimum Overlay width
≥ 130µm
≥ 130µm
≥ 130µm
Mehrpreis für photosensitiver Kennzeichnungsdruck ≥ 100µm möglich
J
Bohrdurchmesser
Drill hole
≥ 350µm (J = D + Bohrzugabe)
≥ 1 : 8 Aspect Ratio
Bsp.
T = 2800µm
J ≥ 350µm
≥ 200µm (J = D + Bohrzugabe)
≥ 1 : 8 Aspect Ratio
Bsp.
T = 1600µm
J ≥ 200µm
≥ 150µm (J = D + Bohrzugabe)
≥ 1 : 10 Aspect Ratio
Bsp.
T = 1500µm
J ≥ 150µm
Bohrzugabe bei HAL 150µm sonst 100µm
Allgemeine Bohrtoleranzen -50µm +70µm
Kleinere Bohrungen auf Anfrage
Siehe D (Loch Enddurchmeser)
K
Kupfer Innen- und Aussenlage zum Umfang Pulback (on outer and inner Layer)
≥ 300µm wenn Umfang gefräst
≥ 600µm wenn Umfang geritzt
≥ 250µm wenn Umfang gefräst
≥ 400µm wenn Umfang geritzt
≥ 150µm wenn Umfang gefräst
≥ 400µm wenn Umfang geritzt
Achtung Isolation beachten!
L
Kupferkaschierung Struktur geätzt
Copper thickness on inner Layer
18µm, 35µm, 70µm, 105µm
18µm, 35µm, 70µm, 105µm
18µm, 35µm
spezielle Kupferkaschierungen auf Anfrage
M
Isolation zwischen zwei Kupferflächen
Split Planes clearance
wenn L = 18µm gilt ≥ 250µm
wenn L = 35µm gilt ≥ 250µm
wenn L = 70µm gilt ≥ 300µm
wenn L = 105µm gilt ≥ 350µm
wenn L = 18µm gilt ≥ 200µm
wenn L = 35µm gilt ≥ 200µm
wenn L = 70µm gilt ≥ 250µm
wenn L = 105µm gilt ≥ 300µm
wenn L = 18µm gilt ≥ 150µm
wenn L = 35µm gilt ≥ 180µm
N
Isolation Kupferfläche zu Kontaktstelle &
Leiterbahn
Pad & Track to Plane clearance
wenn L = 18µm gilt ≥ 150µm
wenn L = 35µm gilt ≥ 200µm
wenn L = 70µm gilt ≥ 250µm
wenn L = 105µm gilt ≥ 300µm
wenn L = 18µm gilt ≥ 120µm
wenn L = 35µm gilt ≥ 150µm
wenn L = 70µm gilt ≥ 200µm
wenn L = 105µm gilt ≥ 250µm
wenn L = 18µm gilt ≥ 100µm
wenn L = 35µm gilt ≥ 120µm
O
Leiterbahnabstand Innenlage
Kontaktstelle zu Leiterbahn Innenlage
Kontaktstellenabstand Innenlage
Track to Track clearance on inner Layer
Pad to Track clearance on inner Layer
Pad to Pad clearance on inner Layer
wenn L = 18µm gilt ≥ 150µm
wenn L = 35µm gilt ≥ 200µm
wenn L = 70µm gilt ≥ 250µm
wenn L = 105µm gilt ≥ 300µm
wenn L = 18µm gilt ≥ 120µm
wenn L = 35µm gilt ≥ 150µm
wenn L = 70µm gilt ≥ 200µm
wenn L = 105µm gilt ≥ 250µm
wenn L = 18µm gilt ≥ 100µm
wenn L = 35µm gilt ≥ 120µm
P
Leiterbahn Innenlage
Track width on inner Layer
wenn L = 18µm gilt ≥ 150µm
wenn L = 35µm gilt ≥ 200µm
wenn L = 70µm gilt ≥ 250µm
wenn L = 105µm gilt ≥ 300µm
wenn L = 18µm gilt ≥ 120µm
wenn L = 35µm gilt ≥ 150µm
wenn L = 70µm gilt ≥ 200µm
wenn L = 105µm gilt ≥ 250µm
wenn L = 18µm gilt ≥ 100µm
wenn L = 35µm gilt ≥ 120µm
Q
Leiterbahn Innenlage zu Loch
Enddurchmesser
Track clearance on inner Layer to Hole
wenn L = 18µm gilt ≥ 200µm
wenn L = 35µm gilt ≥ 240µm
wenn L = 70µm gilt ≥ 340µm
wenn L = 105µm gilt ≥ 440µm
wenn L = 18µm gilt ≥ 200µm
wenn L = 35µm gilt ≥ 240µm
wenn L = 70µm gilt ≥ 340µm
wenn L = 105µm gilt ≥ 440µm
wenn L = 18µm gilt ≥ 200µm
wenn L = 35µm gilt ≥ 240µm
R
Isolierte Löcher in den Kupferflächen der
Innenlagen
Plane clearance (from holes)
wenn L = 18µm gilt R - J ≥ 540µm
wenn L = 35µm gilt R - J ≥ 540µm
wenn L = 70µm gilt R - J ≥ 620µm
wenn L = 105µm gilt R - J ≥ 680µm
wenn L = 18µm gilt R - J ≥ 520µm
wenn L = 35µm gilt R - J ≥ 520µm
wenn L = 70µm gilt R - J ≥ 600µm
wenn L = 105µm gilt R - J ≥ 660µm
wenn L = 18µm gilt R - J ≥ 500µm
wenn L = 35µm gilt R - J ≥ 500µm
S
Kontaktstelle Innenlage
Pad size on inner Layer
wenn L = 18µm gilt S - D ≥ 440µm
wenn L = 35µm gilt S - D ≥ 440µm
wenn L = 70µm gilt S - D ≥ 520µm
wenn L = 105µm gilt S - D ≥ 580µm
wenn L = 18µm gilt S - D ≥ 340µm
wenn L = 35µm gilt S - D ≥ 340µm
wenn L = 70µm gilt S - D ≥ 420µm
wenn L = 105µm gilt S - D ≥ 460µm
wenn L = 18µm gilt S - D ≥ 300µm
wenn L = 35µm gilt S - D ≥ 340µm
T
Leiterplatten dicke
PCB thickness
Innenlage
Core
Bsp.
J = 200µm
T ≤ 1600µm
max. 16 Lagen
≥ 100µm
Bsp.
J = 150µm
T ≤ 1500µm
max. 30 Lagen
≥ 75µm
Auf Aspect Ratio achten
Anzahl Lagen und Lagenaufbau beachten
U
Bsp.
J = 350µm
T ≤ 1600µm
max. 8 Lagen
≥ 200µm
V
Prepreg
Prepreg
≥ 65µm
≥ 65µm
≥ 55µm
spez. Lagenaufbau auf Anfrage
W
Sackloch tiefe
Blind Hole depth
-
W≤D
W≤D
≤ 1 : 1 Aspect Ratio
X
Unterauftrag
Subjob
bei den Äusseren Lagen gilt G = 30µm
beachte Lagenaufbau 1. Verpressung
Y
innenliegende Durchkontaktierung
Buried via
U ≥ 200µm + G = 30µm
metallisierte Innenlage
Z
gestackte Sacklöcher
stacked Blind via
Z - D blind ≥ 40µm
gestufte Sacklöcher
Version 1.2
erstellt: 20.12.2010 C.S.
geändert: 02.03.2011 C.S.
keine HAL Oberflächen für HDI
Abhängig von T (Leiterplatten dicke)
Siehe J (Bohrdurchmesser)
Allgemeine Bohrtoleranzen beachten
Layout immer mit Enddurchmesser anliefern
spez. Lagenaufbau auf Anfrage
genehmigt: 03.03.2011 W.S.
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