MOSFET Transistorer
Mosfet Version 27/08-2015 FET transistorer Generelt. Fet-transistorer er opbygget helt anderledes end bipolar transistorerne. Her er det ikke en basisstrøm, der styrer ledeevnen gennem transistoren, men et elektrisk felt. Dvs. der blot skal en spænding på indgangen, der her kaldes ”Gate”. Heraf navnet, Field Effect Transistorer. Almindelige Bipolare transistorer Bipolar Familietræet for alle transistorer kan tegnes som denne skitse: NPN og PNP J-FET ( P & N-kanal ) FET Depletion, Selvledende ( P & N-kanal ) Mosfetter Enhangement, Selvspærende ( P & N-kanal ) Eller som her, gaflet fra nettet: Kilde: http://www.electronics-tutorials.ws/transistor/tran_8.html Som der ses, findes der flere typer FET’er. Fælles for de forskellige FET-typer er: Styres af spændingen på gaten. UGS Af: Valle Thorø Side 1 af 29 Mosfet Version 27/08-2015 Har stor indgangsmodstand Ri på gaten. Fx 1012 Ohm statisk. Dynamisk vil kapaciteter på chippen spille ind !! og kræve en strøm i gaten, stigende ved højere frekvenser ! Der er stor parameterspredning Transistorerne findes både som P & N-kanal Nogle forhold er ringere, nogle er bedre end Bipolar transistorer. FET-er har en lav forstærkning. MOSFET For MOSFET’s gælder, at gaten er totalt isoleret fra halvlederkrystallet med en tynd oxid-film. Der er ingen diode som i JFET’er. De kaldes også for ” Isoleret Gate FET”. Dette giver en meget høj Ri på 10 til 100 TerraOhm. Men herved opnås også problemer med følsomhed overfor statisk elektricitet. Dette fordi gatens isolering fra Drain-Source-kanalen er udført med et meget tyndt lag Metal Oxid, og derfor skal der ikke så stor spænding til på gaten før der sker gennemslag, og ødelæggelse af transistoren. Mosfet’s bruges til småsignal forstærkere hvor stor Ri ønskes. Og til SWITCH-formål, både for småsignaler og til meget store strømme. De kaldes så fx for Power-MOS Som for J-FET er det, man udnytter, at modstanden mellem Drain og Source kan styres af en spænding på Gaten. Leder transistoren bliver modstanden RDrain-Source eller RDS meget lille. Der er derfor kun lille varmetab ved store strømme. Varmeafsætningen findes som P I 2 R W For MOSFET’er til store strømme har man tilstræbt, at modstanden fra Drain til Source er så lille som muligt, for ikke at få for stor effektafsætning og dermed tab og opvarmning. Og der er tilstræbt at transistoren kan modstå meget høje Drain-spændinger. Der findes to typer MOSFET’s : Selvspærrende, og Selvledende: Men hver af typerne fremstilles i både småsignal og power-udgaver. Selvspærrende MOSFET, på engelsk, Enhancement MOSFET Af: Valle Thorø Side 2 af 29 Mosfet Version 27/08-2015 Selvspærrende Til højre ses diagramsymbolerne for MOSFET. N-Kanal P-Kanal Drain I venstre side N-kanal, og i højre side Pkanal. Source Gate Q1 Q2 Gate BS250 Source Linjen til højre for gaten er stiplet, for at indikere, at Mosfet’en ikke er ledende ved Ugs = 0 Volt. Drain Strøm Strøm Drain Source Gate Q2 Q1 Gate IRF540 IRF9540 Drain Source Med Friløbsdioder Grafer for transistorernes lede-egenskaber. IDS IDS Ugs th UGS Ugs th N-kanal Eks: P-kanal BS170 Eks: BS 250 At en MOSFET-transistor er Selvspærrende betyder, at ved en gate-spænding på 0 Volt i forhold til Source, vil den spærre. Kommer gatespændingen over en værdi, kaldet U gs treshold , leder transistoren. Opbygningen af transistoren kan skitseres med følgende: Af: Valle Thorø Side 3 af 29 Mosfet Hvis VGS = 0, er transistoren OFF. Der løber ingen strøm fra Drain til Source. Drain Transistoren er i dens “Cut Off Region”. Gate Version 27/08-2015 N + P B VDS Vgs + N Source Hvis VGS forøges, vil transistoren forblive i dens “cut off” indtil VGS når et specielt niveau, kaldet dens Threshold voltage, VT. Typisk er VT nogle få volt. I cut off haves, at i d 0 for VGS VT ORCAD simulering. R3 I 50 15Vdc VPWL er fra 0 til 5 Volt. V2 Udrain M1 Ugate V4 IRF150 Usource 0 0 0 300mA 200mA 100mA 0A 0V 1.0V 2.0V 3.0V 4.0V 5.0V -I(R3) V(UGATE) Af: Valle Thorø Side 4 af 29 Mosfet Version 27/08-2015 Bemærk, ud ad X-aksen er Gatespændingen, Ugs. I graf-visningsprogrammet ( vinduet ) gå ind i Plot, / Axis Settings / Axis Variables. Vælg her Ugate. Nu er VGS større end thresholdspændingen. Det elektriske felt fra gaten frastøder hullerne fra området under gaten, og tiltrækker elektronerne. Elektronerne kan let flyde fra Source gennem ”PN-dioden”. Dette producerer en N-type kanal mellem Drain og Source. Holes Drain Holes N Channel Gate + P B VDS Vgs + Altså, hvis VDS forøges, løber der en strøm fra Drain til Source N Source Electrons Electrons For små værdier af VDS, er Drain strømmen proportional med VDS. Plottes iD for forskellige værdier af VGS fås viste graf. Hvis VGS forøges, bliver kanalen tykkere. For små værdier af VDS, er ID proportional med VDS. Id Increasing Vgs Transistoren opfører sig som modstand, hvis værdi er afhængig af VGS. Modstanden formindskes hvis VGS forøges. Af: Valle Thorø VDS Side 5 af 29 Mosfet I Triode region er VDS VGS VThreshold Version 27/08-2015 Id I mætnings området er VDS VGS VTHRESHOLD Triode Saturation Eftersom VDS forøges, vil kanalen ”nedbrydes” ved Drain, og ID forøges mindre hurtigt. VDS Slutteligt, for VDS (VGS VTHRESHOLD ) bliver ID mere konstant. Id Hvis VGS forøges, vil ID saturation strømmen forøges. Triode Saturation VGS= 5 Grænsen mellem Triode regionen og saturation regionen er en parabel. VGS= 4 VGS= 3 VDS Saturation strøm for forskellige VGS spændinger. Idrain kan beregnes af formlen: I D K U gs U gs th 2 Der indgår en konstant, K, der beregnes af: K I Don U GS U GSth 2 Eks.: ID ON = 3 mA ved UGS = 10 V, og UGS th = 5 Volt. UGS vælges til 8 Volt ! Af: Valle Thorø Side 6 af 29 Mosfet Der findes : K I Don K U GS U GSth 2 I D K U gs U gs th , 2 Version 27/08-2015 3mA mA 0,12 2 2 10 5V V mA I D 0,12 2 8 5 V 2 1,08 mA V VCC RD I drain Quicent = 1,08 mA Q1 V2 VOFF = VAMPL = FREQ = VGS th = 5 V 8Vdc Vbias 0 0 Loadline eller arbejdslinie : Følgende viser en grafisk analyse af arbejdslinien: VCC 20 V Rd 1k Uout Id mA loadline 20 A Q1 Q 9 V2 VGS= 5 VOFF = 0 VAMPL = 1 V FREQ = 1000 VGS= 4 B VGS= 3 VDS 4Vdc Vbias 4 0 0 11 16 20 Volt Arbejdslinien findes: Hvis transistoren er helt ON, er ID = 20 mA. Hvis transistoren er helt OFF, er UDS = 20 Volt. UGS er 4 Volt. I skæringspunktet for grafen for UGS ( her VGS ) og arbejdslinien kredsløbets arbejdspunkt, Q-point. ! Af: Valle Thorø Side 7 af 29 Mosfet Version 27/08-2015 Q-point ønskes at være ca midt på arbejdslinien, således at signal-svinget kan blive max I begge retninger uden at klippe. Maximum og minimum værdier for VGS er VGS max = 5 Volt, og VGS min = 3 Volt for et signal-input på 1 Volt peak. Uout er inverteret. Og fordi afstanden linierne for VGS = 5, 4 og 3 er forskellige, vil outputtet ikke være symmetrisk. Det er forvrænget. Men hvis kun et lille input signal påtrykkes, kan outputtet godt opfattes som ikke forvrænget. Biasing E-MOSFET som signalforstærker: Ved hjælp af to modstande indstilles en gatespænding, der bringer transistoren i et arbejdspunkt. Gatespændingen må være så høj, at transistoren leder ”halvt”. Bias-spændingen etableres af en spændingsdeler: 20 V VCC Gate spændingen er: R2 VG U CC R1 R 2 VG 5V Der flyder ingen strøm ind I gaten pga. Den extrem høje indgangsmodstand. Så Gate spændingen er lig: Rd R1 4,7k C2 3 Meg C1 Uout Q1 V2 VOFF = 0 VAMPL = 1 V FREQ = 1000 VG VGS R S i D R2 Rs 1Meg 0 0 2,7k 0 Transistoren skal bias’es så den arbejder I dens saturation region, så det haves: i D KU GS U TRESH 2 K er givet af geometrien I transistoren til fx 1 mA/V2 En grafisk løsning kunne se ud som følgende: Af: Valle Thorø Side 8 af 29 Mosfet Grafen for iD er parabolsk. Hvor det skærer arbejdslinien, haves arbejdspunktet, Qpoint. Version 27/08-2015 Id id En matematisk løsning ville give en 2. gradsligning med 2 rødder. VG/RS Qpoint Ligningerne er: VG=VGS+ RsiD Bias line VGS VG VGS R S i D og 2 i D KU GS U TRESH Uthreshold VG Q-værdier er brugt, derfor index “Q”. VG VGSQ Rs KVGSQ VT 2 1 VG 2 2 VGSQ 2VT VGSQ VT 0 RS K RS K Når værdierne substitueres, fås 2 VGSQ 3.63 VGSQ 2.148 0 2 2 2.886 og VGSQ 0.744 mA Løses, findes: VGSQ Den anden rod forkastes. Og der findes: I DQ KVGSQ VT 0.748 mA 2 Løses for spændingen UDS findes: VDSQ VDD R D R S I DQ 14.2 V Dette er OK I saturation området ! Tommelfingerregler Som et rimeligt startpunkt for design af et kredsløb, kan vælges modstande, så: Af: Valle Thorø Side 9 af 29 Mosfet Version 27/08-2015 R D I DQ U CC / 4 U DSQ U CC / 2 R S I DQ U CC / 4 ORCAD Simulering: Mangler !! Eksembel med afkoblet source modstand. UCC R Drai n Uout Q1 Selvspærr ende, Nkanal Uin R Sour ce 0 0 0 Eks på selvspærrende småsignal MOSFET transistor BS 170. IR-forforstærker: Kredsløbseksempel til at overføre audio. R3 VCC, 9 V D1 560 C4 BP104 C2 47uF P1 R2 R1 470k 100 Kohm 0 0 22 uF 10n 3 C1 Uout 2 Q1 BS170 Gnd 820k 1 0 På udgangen tilsluttes et par hovedtelefoner !! 0 0 Transistor-symbolet er forkert. Skulle have været stiplet. Af: Valle Thorø Side 10 af 29 Mosfet Version 27/08-2015 N-kanal Mosfet Fra databladet: Hvordan virker kredsløbet ?? Af: Valle Thorø Side 11 af 29 Mosfet Version 27/08-2015 Depletion, Selvledende: DEPLETION, D-MOSFET, SELVLEDENDE, ( Tysk: Verarmung) , i både N-kanal og P-kanal. Med følgende symboler: ( I diagramsymbolet er linjen til højre for gaten fuldt optrukket, so indikation på, at transistoren er selvledende. ) Selvledende Drain Source Gate Q1 Q2 Gate Source Drain Strøm Strøm N-Kanal P-Kanal IDS IDS Ugs off IDSS UGS Ugs off N-kanal P-kanal Eks: Eks: At transistoren er selvledende betyder, at ved en gatespænding på 0 Volt, vil den lede. ! ID beregnes af formlen Af: Valle Thorø U I D I DSS 1 GS U GSOff 2 Side 12 af 29 Mosfet Version 27/08-2015 Biasing D-MOSFET UCC Transistoren leder af sig selv. Gaten skal blot stelles, for ikke at blive for højimpedant. Dvs. et signal fra Uin kan ”pumpe” gatespændingen op og ned, og derved påvirke transistorens IDS. Denne ændring i IDS giver en ændring i delta URdrain. Og derved et signal på Uout. R Drai n Uout Q1 Selvledende, N- kanal Uin 0 0 Mosfets er meget følsom overfor statisk elektricitet. Skal opbevares i ledende poser, i ledende skum eller lignende. Arbejdsbordet skal stelles, der skal bruges ledende armbånd til arbejdsbordet, og der må ikke være spænding på, når man arbejder med transistorerne. Følgende er en scannet oversigt over forskellige MosFET-typer: Af: Valle Thorø Side 13 af 29 Af: Valle Thorø Mosfet Version 27/08-2015 Side 14 af 29 Mosfet Version 27/08-2015 Kredsløbseksempler med MOSFET’s UCC RLast Mosfet anvendt som switch. 1k U1 2 Q1 Selvspær rende, Nkanal 1 3 NAND2 0 Spændingsdobler D1 D2 Uin Uout ~ 2 g ange Uin Spændingsdobler efter ladningspumpeprincippet: C1 Q1 10 uF Selvspær rende, Pkanal C2 BD 512 BS250 100 uF Uin Q2 Selvspær rende, Nkanal BD 522 0 BS 170 Konstantstrøms-generator. U I Konst GS R 0 Q1 Selvledende, N-kanal R1 Hovedtelefon-forstærker med MosFet. Af: Valle Thorø Side 15 af 29 Mosfet Version 27/08-2015 + 9 til 12 Vol t C7 1k2 10uF 16 V R1 0 R2 G S Q5 100 Ohm BS250 R5 100k 8 D C1 3 Uin 2 220n + U3A C4 R3 1 - 1k P1 TL082 LS1 4 100uF 40V 47K Hovedtelefon R4 220 10K R8 SPEAKER Nul D R6 R7 1k2 100 0 G Q4 BS170 S C3 10uF 16V Minus 9-12 Vol t Bemærk, at Operationsforstærkerens udgang ikke styrer udgangstransistorerne. Det gør OPAMP’ens forsynings-ledninger. Hvis opamp’ens udgang ønskes at gå opad, forsøger den, og den trækker mere strøm fra plus. Herved falder spændingsfaldet over R1. PowerMOS Mosfets beregnet til store strømme kom frem allerede fra ultimo 70’erne. De er optimeret for store strømme. Ved store strømme gælder det om, at modstanden mellem Drain og Source er så lav som muligt, for at holde delta UDS så lav som muligt, og derved få så lille en effektafsætning som muligt. Forskellige firmaer har søgt dette optimeret ved forskellige udformning af chippen: Her en oversigt over forskellige firmaer, og eksempler på de navne, de giver deres POWERMOS chips. Se video: http://freecircuitdiagram.com/2010/03/31/transistor-mosfet-video-tutorial/ Tjek android app: Everycircuit. Fabrikant IR, International Rectifier Siliconix Siemens Af: Valle Thorø Navn HEXFET V-MOS SIP-MOS Kommentarer Mange 6-kanter, Udformet i V-form på Chippen Mange ( flere tusinde ) enkelte parallelle transistorer på chippen Side 16 af 29 Mosfet Version 27/08-2015 For POWER-MOS gælder, at få RDS on så langt ned, som muligt. Der findes værdier på 0,03 Ohm ved 45 Ampere. For P-kanal er RDS on ca 2 gange så stor som for N-Kanal. RDS on stiger ved stigende temperatur. Cin Desværre optræder der nogle små kapaciteter mellem gate og hhv. Drain og Source, som vist på næste diagram. Umiddelbart kan de synes harmløse, de er jo ret små. UCC Men ved høje skiftefrekvenser, vil de betyde en del. R last Eks. 600 pF C gd Gaten skifter fra 0 til 12 Volt på 12 nS. Hvilken ladning skal flyttes, og hvilken strøm svarer det til? Q1 Selvspær rende, Nkanal Uin C gs 100 pF 0 Q U C Q 600 p 12 100 p 12 27,2 nCoulomb Dvs. der skal flyttes 27,2 n Coloumb ved hver skift. Det bliver en strøm på I Q 27,2 nC 272 mA t 100 ns På 2 skift flyttes 54,4 n[C] Skal der switches med 100 kHz, fås middelbelastningen: P Q U f 54,4 nC 100 k Hz 75,2mW Det fås af: P UI U Q UQf t Mosfet’en skal altså drives med en enhed, der kan levere mindst 75 m[Watt]. Af: Valle Thorø Side 17 af 29 Mosfet Version 27/08-2015 Fx kan flg. kredsløb anvendes: UCC R last Uplus 600 pF C gd BC547 2 3 U4 NAND2 Q1 Selvspærr ende, Nkanal 1 200 C gs 100 pF BC557 0 0 0 0 0 Ydermere opstår der problemer idet en ledning også optræder som en selvinduktion, eller en spole. Dvs. at der ved store skiftehastigheder af store strømme opstår store induktionsspændinger. Ex.: Ledningen har en induktion på 50 nH. Strømmen der switches i løbet af 25 n[sek.] er på 60 Ampere: U L di 60 A 50 nH 120Volt . dt 25 nS Kredsløbs-eksempler: Her vises et eksempel på en ”H-Bro” til motorstyring ! Skematisk diagram. Af: Valle Thorø Side 18 af 29 Mosfet Version 27/08-2015 http://www.robotoid.com/my-first-robot/rbb-bot-phase2-part1.html Det skal absolut undgås, at begge transistor-indgange, mærket med OnOff, er høje samtidig. Plus 12 Volt R1 R2 1k 1k Q3 Q4 IRF9540 IRF9540 R5 Sker det, vil der være en direkte kortslutning fra Plus 12 Volt til Stel. R6 1k 1k MG1 1 2 MOTOR Kredsløbet kan direkte styres af en uC. 5Volt Obs: R3 og R4 kan med fordel i stedet ændres til Pull Down modstande i stedet. 5Volt R3 OnOf f R4 Q1 IRF540 1k OnOf f Q2 IRF540 1k 0 Obs: Det kan være en fordel, at sætte lysdioder på, for at indikere, hvornår motoren kører parallelt over motoren. Motorstyrin g. UCC R1 S G Q1 P-kanal S Q3 G R2 1 1k Retning Enable 2 D 3.3k R4 1k Fx. 5 Volt 2 AND2 1 D D 3 Q2 U7 1 AND2 1 Q4 N-kanal S NOT 2 S 0 3 En H-bro kan også fås som integreret kredsløb. Se: L298N Undersøg kredsløbet! Af: Valle Thorø R3 DC MOTOR 2 Her er kredsløbet forsynet med gates, der forhindrer, at der kan opstå kortslutning fordi alle 4 transistorer leder samtidigt. 3.3k Fx. 12 Volt Side 19 af 29 Mosfet Version 27/08-2015 Der skal 5 Volt på ben 9 til at forsyne kredsen. Men der må sættes 12 Volt på ben 4 til motoren ! Her vises indmaden i ICen L298N lidt bedre.: Her et eksempel på et kit til motorstyring. Af: Valle Thorø Side 20 af 29 Mosfet UCC 2 Eksempel på et servosystem: Version 27/08-2015 DC MOTOR Motoren trækker også Potmeteret + 10k UCC +15 V OPAMP OUT 1 0 D - 0 N-kanal 1Meg G UCC - 10k 5k + Transducer OPAMP OUT OUT S S Q6 + 5k 0 Q1 - OPAMP 1Meg G P-kanal D UCC -15 V 0 Øvelse: Der skal bygges et kredsløb, med en Powermos, en IRF 540, der kan lysdæmpe en forlygtepære til en bil. Test også kredsløbet på en aktuator og en DC-motor VCC Til Pære R1 Gnd R3 1k 10k Kredsløb til at slukke kabinebelysningen i en bil efter en tid. M1 R2 100k Q1 R4 BC557 IRF540 10k Bry deswitch Gnd D1 15 Volt C1 10u R5 1Meg SW1 Gnd Konstant ly s Af: Valle Thorø Side 21 af 29 Mosfet Version 27/08-2015 Undersøg kredsløbet ! Kredsløbet er fra Elector. Switchmode regulator til lysdioder. Tænd lysdioden i en periode ved et tryk. Trappeautomat? Af: Valle Thorø Side 22 af 29 Mosfet Version 27/08-2015 http://www.learningelectronics.net/circuits/30-watt-audio-power-amplifier-schematic.html Audioforstærker med Mosfet Af: Valle Thorø Side 23 af 29 Mosfet Version 27/08-2015 http://www.audiokarma.org/forums/showthread.php?t=453275&page=9 http://homemadecircuitsandschematics.blogspot.dk/2012/02/how-to-make-solar-inverter-circuit.html Logic Level Gate MosFet. Af: Valle Thorø Side 24 af 29 Mosfet Version 27/08-2015 THe advantage of logic level MOSFETs is that their source-drain saturates with at a low gate voltage. THe disadvantages are that they tend to have higher gate capacitance/gate charge (take longer to turn on for a given amount of drive current), have higher on-resistance, have lower maximum tolerable gate voltages, and cannot be made to have source-drain breakdown voltages as high as standard MOSFETs. You are basically trading the advantage of lower gate drive voltage for performance hits in every other area to varying degrees. Sometimes though the ability to use a logic-level gate voltage simplifies things enough to justify this. Basically, if you can easily provide the gate voltage necessary for a standard level MOSFET choose a standard MOSFET over a logic level MOSFET (all things being equal). If you cannot provide such a voltage easily, then you have to start thinking about the complexity and performance tradeoffs of supplying that gate drive voltage or using a logic-level FET. Advantages of Bipolar over Mosfets Transistors: Bipolar transistor is much more faster thank Mosfet. and in case when frequency is getting higher and higher the switching power of Mosfet could increase the switching power of Bipolar. Mosfet is good when you are using in digital design, because in logic stat 0 and 1 they have a very little leakage current. but even now when we have already Mosfet with 0.22nm channel length the leakage is already significant. http://www.edaboard.com/thread236378.html Transient beskyttelse Når der switches store strømme, fx et relæ der switches off, frembringes der store transienter. R3 D1 D1N4148 R4 Relæ Q2 BC337 C5 10n Q1 R1 0 0 U_in BC337 C1 C4 10n 0 Af: Valle Thorø 0 Måske kan man opdele basismodstanden med en afkobling i midten. 0 Side 25 af 29 Mosfet Version 27/08-2015 Det er god skik at afkoble gaten mod transienter. Mod HF-støj pga. gnist i et relæ fx . M1 U_in 2 IRF150 D1 5V6 R2 1Meg 1 C1 0 0 0 0 Transistor-Oversigt: E-MOS-FET Enhancement, Selvspærrende Nummer BS170 BS 250 IRF 540 IRF 9540 Type N-kanal P-kanal N-kanal P-kanal I Drain Max max 300 mA max 180 mA 19 A 19 A RDS ON I Drain Max RDS ON D-MOS-FET Depletion Selvledende Nummer Type N-kanal P-kanal Nyere typer MOSFET Der er i de senere år fremkommet nye typer af mosfet’s. Med forskellige navne, og til forskellige formål: SmartPower Intelligente effekthalvledere PROFET Switscher høje strømme i biler. Med Current Sense. For biler, der går over til 42 Volt. De forskellige switche styres af en overlejret signal i power-ledningen ! Af: Valle Thorø Side 26 af 29 Mosfet Version 27/08-2015 MOSFET’s på chip, med indbygget currentsense, temperaturcensor, powerdown mm. Smart SIPMOS TEMPFET fra Siemens kun med beskyttelses-kredsløb på chippen. Mosfet Moduler, Se: http://www.pwrx.com/summary/MOSFET.aspx IGBT Isolated Gate Bipolar Transistor Se: http://www.electronics-tutorials.ws/power/insulated-gate-bipolar-transistor.html En IGBT-transistor er en blanding af en MOSFET I indgangen, og en almindelig bipolar transistor i udgangen. Dvs. en transistor med Collector, Emitter og Gate. Altså en spændingsstyret alm. Transistor. C Diagramsymbolet: G ORCAD !! IXGH40N60. E http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/125935/IXYS/IXGH40N60.html C Opbygningen på chippen er som flg: Kan switche 75 A. Q2 G Selvspær rende, Nkanal E Undersøg databladet! Af: Valle Thorø Side 27 af 29 Mosfet Version 27/08-2015 Opbyg et kredsløb med en IGBT. Undersøg Vp for transistoren. R1 2 Undersøg Δ UCE Z1 V1 Ugate 20Vdc 0 IXGH40N60 Lad Ugate være konstant 5 Volt, og undersøg Δ UCE som funktion af IC. V2 0 0 Fås også som meget store moduler: Delta UCE ~ 1 Volt. Ron effektiv er mindre end for MOSFET. ??? IC/IG > 109 IGBT’s fås til fx 1000 Volt og 300 A. Switchning kan udføres op til Føvre ~ 20 KHz. Eks. Siemens, BUP 304, 1000 V 25 A UGS on ~ 2 til 5 Volt. Af: Valle Thorø Side 28 af 29 Mosfet Version 27/08-2015 Fordele ved Mosfet vs. IGBT Tilføj fra siden: http://www.irf.com/technical-info/whitepaper/choosewisely.pdf Se: http://www.electronics-tutorials.ws/blog/insulated-gate-bipolar-transistor.html Af: Valle Thorø Side 29 af 29
© Copyright 2024