הרצאה – 2טרנזיסטור MOSFET תוכן עניינים: .1תאור כללי של טרנזיסטור ה.MOSFET - .2מצבי הטרנזיסטור. .3הגברה באמצעות ה.MOSFET - .4לינאריזציה. .5תופעת התקצרות התעלה. .1תאור כללי של טרנזיסטור ה:MOSFET - א .תאור סכמטי: D S G G D S P − Ch N − Ch תזכורת :מעגל ליניארי מורכב מנגדים ,סלילים ,קבלים ומקורות תלויים בצירופים שונים .טרנזיסטורים יוצרים הגבר הספק אך הם אינם ליניאריים. סימונים אחרים לתיאור טרנזיסטור :MOSFET :P :N או הרצאות לפי ד"ר משה פורת מהדורה שלישית .עורכת :נועה רוטמן או 2011 עמוד מס' 1מתוך 14 2011 הרצאה מס' 2 הרצאות לפי ד"ר משה פורת מהדורה שלישית .עורכת :נועה רוטמן ב .מבנה ה MOSFET - + − N − Ch − עומק D + G W S N N L P −−−− −−−− ללא מתח ב :G -צומת ימני בשרטוט ה MOSFET-נמצא בממתח הפוך. עם מתח ב :G -נוצרת תעלה של אלקטרונים .כאשר התעלה מוליכה ,יש זרימה. N P כיוון מוליך − + .2מצבי הטרנזיסטור: א .קיטעון ): (cut off תעלת NMOS - n תעלת PMOS - p VGS < VT VGS > VT עד היווצרות התעלה ⇐הטרנזיסטור בקטעון. ב .רוויה ):(saturation regions תעלת NMOS - n תעלת PMOS - p VGS > VT , VDS > VGS − VT VGS < VT , VDS < VGS − VT הגדלת המתח | ← |VGSהגדלת הזרם | . | I DS עמוד מס' 2מתוך 14 2011 הרצאה מס' 2 הרצאות לפי ד"ר משה פורת מהדורה שלישית .עורכת :נועה רוטמן I DS רוויה היוו ר ן ועטק VGS קטעון VT 1 µ ⋅W ⋅ Cox ⋅ (VGS − VT ) 2 2 L = I DS K כאשר: Lאורך התעלה Wעומק התעלה Coxקיבול תחמוצת )ליחידת שטח( µניידות בתעלה הערה :מצב רוויה הוא המצב הרצוי לפעולה לינארית ככל האפשר .נשתמש במצב זה על מנת להגיע לפתרונות באופן פשוט יותר. U U ג .מצב אוהמי /לינארי ):(linear region תעלת NMOS - n VDS ≤ VGS − VT , VGS > VT תעלת PMOS - p VDS ≥ VGS − VT כאן זרם הטרנזיסטור תלוי גם במתח . VDS עמוד מס' 3מתוך 14 , VGS < VT 2011 הרצאה מס' 2 הרצאות לפי ד"ר משה פורת מהדורה שלישית .עורכת :נועה רוטמן I DS רוויה היוו ר =V VGS − VT DS ימה וא אוהמי VGS 3 VGS 2 VGS1 ן ועטק VDS קטעון נבחן את הקשר בין I DSלבין VDSו: VGS - COX ⋅ µ ⋅ W 1 ⋅ (VGS − VT ) ⋅ VDS − ⋅ VDS 2 L 2 = I DS 2⋅ K 2 אם , VGS − VT >> VDSניתן להזניח את VDS 2 ביחס למחובר אליו. נקבל: Cox ⋅ µ ⋅ W ⋅ (VGS − VT ) ⋅ VDS L ≅ I DS 2⋅ K מבחינת מימדים ויחידות לביטוי הבא יש משמעות של מוליכות .נגדיר: Cox ⋅ µ ⋅ W 1 ⋅ (VGS − VT ) L R כך ניתן לרשום חוק אוהם: VDS = I DS ⋅ R 2 V כלומר ,באזור הראשית ,כאשר ) , DS << VDS ⋅ (VGS − VTנקבל קווים ישרים 2 בקירוב ,בדומה לנגד על פי חוק אוהם .ערך הנגד Rתלוי במתח . VGS − VT שימוש :לפעמים קל יותר לעשות טרנזיסטור מאשר נגד גדול. הערה :בדר"כ המצע מחובר למתח הנמוך ביותר במעגל. עמוד מס' 4מתוך 14 2011 הרצאה מס' 2 הרצאות לפי ד"ר משה פורת מהדורה שלישית .עורכת :נועה רוטמן תזכורת מצבי הטרנזיסטור הבי -פולארי )(BJT - Bipolar Junction Transistor הם: IC ל יעפ רוויה היוו ר פעיל ן ועטק VCE קטעון במעגלים ליניאריים הגבר נוצר בדרך כלל בתחום הרוויה של MOSאו בתחום הפעיל של בי-פולארי. .3הגברה באמצעות ה MOSFET - מתח ה Gate -שולט על הזרם . I DS I DS RD VDD D G S בקרה בתנאים מסוימים ניתן להחליף את הטרנזיסטור ברכיבים לינארים ולפתור. כעת לא נעשה זאת ,אלא נפתור באופן גרפי: בהנחת רוויה – הגדלת VGSמגדילה את I DSומשנה את . VDS עמוד מס' 5מתוך 14 2011 הרצאה מס' 2 הרצאות לפי ד"ר משה פורת מהדורה שלישית .עורכת :נועה רוטמן I DS VGS VDS • האם כל צרוף ) (VDS , I DSאפשרי? קל להראות שלא כל צרוף ) (VDS , I DSאפשרי מכיוון שעליהם לקיים את חוק קירכהוף :KVL I DS RD VDD VDS כלומר VDS = VDD − I DS ⋅ RD → כלומר ,קביעת , I DSקובעת את VDSחד ערכית. כמו כן נזכור כי VGSקובע את ) I DSברוויה(: I DS VGS VT לכן סדר קביעת הערכים באופן כללי הינו. VDS ⇐ I DS ⇐ VGS : עמוד מס' 6מתוך 14 VDD = I DS ⋅ RD + VDS 2011 הרצאה מס' 2 הרצאות לפי ד"ר משה פורת מהדורה שלישית .עורכת :נועה רוטמן נחפש את המקום הגיאומטרי לכל הצרופים ) (VDS , I DSהאפשריים: עבור VDS = 0מתקיים:VDD − VDS VDD = RD RD = I DS עבור I DS = 0מתקיים:→ = VDS VDD VDD − VDS 0 = RD ניתן לראות כי יש מקום גיאומטרי המאגד את כל הנקודות ) (VDS , I DSהאפשריות על פי הקשר VDS = VDD − I DS ⋅ RDזהו קו העבודה ).(Load line I DS קו עבודה VDD RD VGS 3 VGS VGS 2 VGS 1 VDS VDD ניתן לשרטט קשר בין שינויים במתח השער לבין שינויים בזרם ובמתח של חיבורי הטרנזיסטור: עמוד מס' 7מתוך 14 2011 הרצאה מס' 2 הרצאות לפי ד"ר משה פורת מהדורה שלישית .עורכת :נועה רוטמן I DS VGS VDD RD 2 I DS D 2 DD DD VGS 5 3 I DS 5 1 4 3 4 t → 1 → t VDS 1 2 3 VDS t 4 5 הערות: מציינות נקודות שקטות ,דהיינו ללא השתנות סינוסית הנקודות המסומנותשסביבן מתפתח אות משתנה. הצירוף ) (VDS , IDSבהעדר אות משתנה נקרא נקודת עבודה .נקודה זו נקבעת ע"יהערך השקט של .VGS כלומר קיבלנו כי: הגבר מתח -שינויים ב VDS -כתוצאה משינויים ב. VGS - 2 5 VGS 1 3 4 4 VDS 5 1 3 2 במגבר המתח יש היפוך מופע. עמוד מס' 8מתוך 14 2011 הרצאה מס' 2 הרצאות לפי ד"ר משה פורת מהדורה שלישית .עורכת :נועה רוטמן שאלה :האם יש הגבר? ניתן לבצע מדידה על פי הגרפים .אנליטית קל לראות שיש קשר בין VGSל I DS -נתון ע"י הטרנזיסטור ,והקשר בין I DSל VDS -נקבע ע"י .KVL שיקולים: א( שינוי RD I DS הקטנה קה ת נDטR VDD RD הגדלה Rה תלDד ג VDS VDD נשים לב שככל ש RD -גדל כך השיפוע מתון יותר .לכן ,אם VGSמשתנה ,נקבל אמפליטודת VDSגדולה יותר כאשר RDגדול יותר. RD 2 RD1 VDS t t מתקיים RD1 < RD 2 : לכן עבור RDגדול יותר נקבל הגבר גדול יותר. ב( בעיית ליניאריות הקשר בין VGSל I DS -אינו לינארי ,דבר המוביל לעיוות באות היציאה. למשל עבור VGSהרמוני: עמוד מס' 9מתוך 14 VDS 2011 הרצאה מס' 2 הרצאות לפי ד"ר משה פורת מהדורה שלישית .עורכת :נועה רוטמן I DS חוסר לינאריות רס וח תוירא יני ל VGS VT כזכור ,במעגל לינארי אם הכניסה היא סינוסית אזי גם היציאה היא סינוסית .כעת לא נקבל סינוס והמעגל לא לינארי. העיוות יוצר אות שהוא סכום של הרמוניות .הפתרון לכך הוא להשתמש באות קטן. "אות קטן"= אות המאפשר קרוב של הפונקציה ע"י נגזרת ראשונה. .4ליניאריזציה כאשר אות הכניסה קטן מאוד ניתן לקרב את עקום ה I DS ⇔ VGS -לקו ישר ,על פי הנגזרת סביב נקודת העבודה. הנגזרת נחשבת כקירוב סביר לאות קטן. v gs << VGS : AC I DS ה DC - VGS DC ב יכר - vgs t AC ב יכר לתשומת הלב .1אותיות גדולות ⇐ ,DCלדוגמא ) . (VDD , I D .2אותיות קטנות ⇐ ,ACלדוגמא ) . (v gs = VGSערך נקודת העבודה )ערך ה.(DC - = vgsתזוזות סביב נקודת העבודה )אמפליטודת ה.(AC - עמוד מס' 10מתוך 14 2011 הרצאה מס' 2 הרצאות לפי ד"ר משה פורת מהדורה שלישית .עורכת :נועה רוטמן = vgs + VGS vGS נבצע לינאריזציה לטרנזיסטור ע"י מודל המתאים רק לשינויים קטנים ,כלומר לאות קטן. לדוגמא ,ברוויה: נגזור ונקבל: Cox µW 2 ⋅ ) ⋅ (VGS − VT L 2 ) =2 ⋅ K ⋅ (VGS − VT VDS = const = . I DS ∂I DS ∂VGS gm לכן מבחינת אות קטן ACניתן לתאר את ה – MOSFETע"י: vgs g m ⋅ vgs נדגיש: קירוב זה של טרנזיסטור ה , MOSFET -אינו מדוייק כי איננו מכיל קיבולים,כך שהוא תקף לשינויים איטיים בלבד. חשוב לציין כי הלינאריזציה כאן מבוססת על משוואת תחום הרוויה. g mתלוי בנקודת העבודה , VGSולכן יש לחשב אותו קודם. U U כעת נחזור למעגל: VDD v gs AC VGS כאמור VGS ,קובע את נקודות העבודה ומכאן את ערכו של .gm לסיכום פרק העבודה במצב ברוויה vgs ,הינו המתח המוגבר על פי , gmכפי שנקבע על סמך נקודת העבודה. עמוד מס' 11מתוך 14 2011 הרצאה מס' 2 הרצאות לפי ד"ר משה פורת מהדורה שלישית .עורכת :נועה רוטמן בתחום האוהמי מתקיים: V 2 ⋅ (VGS − VT ) ⋅ VDS − DS 2 W L ⋅ I DS = Cox ⋅ µ כאן גם VGSוגם VDSמשפיעים על זרם . I DSסכמת תמורה לאות קטן: D vds G g ds ⋅ vds g m ⋅ v gs S v gs השפעת v gs השפעת vds הפעם הנגזרת: ∂I DS = 2 K ⋅ VDS ∂VGS V =constant DS gm ∂I DS ] = 2 K ⋅ [VGS − VT − VDS ∂VDS V =constant GS g ds במעגל הנ"ל מאפשר חישוב יחסים בין ערכי ה .AC -עם זאת ,ערכם של הפרמטרים g mו g ds -נקבעים ע"י רכיבי ה ,DC -דהיינו VGSו. VDS - 1 הערה :ניתן לראות כי המקור g ds ⋅ vdsשקול לנגד שגודלו: g ds = ) rdsהזרם נקבע על פי המתח על פניו(: D 1 g ds iDS G = rds g m ⋅ v gs S עמוד מס' 12מתוך 14 v gs 2011 הרצאה מס' 2 הרצאות לפי ד"ר משה פורת מהדורה שלישית .עורכת :נועה רוטמן .5תופעת התקצרות התעלה ההתקצרות נובעת משינוי ב . VDS -כאשר משנים את VDSאורך התעלה משתנה. עד כה הנחנו כי ברוויה אין השפעת VDSעל ) I DSפרט לתנאי הרוויה( ,ולכן אין rds במודל השקול ברוויה .עם זאת ,מתברר כי בפועל ברוויה קיים שיפוע קל של האופייניים: I DS הקווים נפגשים בהמשך -Vי ב -וAשגפ VDS ניסוח מדוייק יותר למצב ברוויה: ) I DS = K ⋅ (VGS − VT ) 2 ⋅ (1 + λ ⋅ VDS ובמצב אוהמי: VDS 2 I DS = 2 K ⋅ (VGS − VT ) ⋅VDS − ) ⋅ (1 + λ ⋅ VDS 2 ולכן תופעת התקצרות התעלה תשפיע על g mו g ds -בחישוב אות קטן. סכמת תמורה בהתחשבות באפקט התקצרות התעלה ברוויה: D ids G r0 g m ⋅ v gs v gs S כלומר נוסף נגד r0או rdsעקב תלות הזרם ב; VDS -הוא איננו מופיע בסכמת הרוויה המקורית כיוון שבמשוואה המקורית ל IDS-לא הייתה תלות ב. VDS - עמוד מס' 13מתוך 14 2011 הרצאה מס' 2 הרצאות לפי ד"ר משה פורת מהדורה שלישית .עורכת :נועה רוטמן מה גודלו של r0ברוויה? 1 ∂I DS = = K ⋅ (VGS − VT ) 2 ⋅ λ r0 ∂VDS נזכיר גם ש: 1 VA =λ ומכאן שברוויה: VA 1 = I DS λ I DS ≈ r0 עמוד מס' 14מתוך 14
© Copyright 2024