null

‫טכנולוגית ‪:Pass Transistor‬‬
‫התצורה הבאה משמשת למתג באמצעות טרנזיסטור‪:‬‬
‫בהרצאה קודמת ראינו כי כאשר ההתקן בקיטעון המתג פתוח‪ ,‬אחרת הוא מוליך לכיוון כלשהו לפי המתח‬
‫‪. VDS‬‬
‫ראינו את התכונות הבאות‪:‬‬
‫זמן מעבר ארוך ומתח מירבי של ‪: VDD  VT‬‬
‫זמן מעבר קצר‪:‬‬
‫מימוש מתג ומהפך‪:‬‬
‫נניח בתחילה כי הכניסה ל‪ A-‬היא מהפך נוסף ונקבל את הסכמה‪:‬‬
‫כאשר "‪ , B="1‬המפסק סגור ו‪. y  A -‬‬
‫כאשר "‪ , B="0‬המפסק פתוח והערך של ‪ y‬תלוי בערכו הקודם‪.‬‬
‫אנו רוצים להגיע לשער ‪ y  A  B :AND‬אז זה אינו מתקיים מכיוון‬
‫שכאשר ‪ B=0‬הערך ב‪ y -‬תלוי בערך הקודם ולא תמיד ‪.0‬‬
‫‪B‬‬
‫‪Y‬‬
‫‪A‬‬
‫הפתרון מתואר במעגל הבא – הוספת מתג‪:‬‬
‫המעגל הזה יפעל כמו שער ‪ AND‬אך פתרון זה אינו מומלץ מכיוון שאנו‬
‫מוסיפים טרנזיסטור בניגוד למטרה להוריד אותם‪.‬‬
‫‪| 71‬‬
‫מעגלים אלקטרונים ספרתיים ‪ -‬סיכום ועריכה מאת שי ידרמן‬
‫הפתרון המקובל – ‪:Transmission Gate‬‬
‫משתמשים בתכונה של כל סוג‪ PMOS , NMOS :‬לפי‬
‫מה שראינו בסוף ההרצאה הקודמת בהקשר של מעבר ‪ 0‬ו‪ 1-‬לוגים‪.‬‬
‫באיור הסמוך מתוארים המעגל והסימון המקובל‪.‬‬
‫"‪"0‬‬
‫‪Good‬‬
‫‪Poor‬‬
‫טרנזיסטור‬
‫‪NMOS‬‬
‫‪PMOS‬‬
‫"‪"1‬‬
‫‪Poor‬‬
‫‪Good‬‬
‫כאשר‪ C=1 :‬מקבלים‪. VY  VA :‬‬
‫‪Vin‬‬
‫בזמן ‪ t  0‬הטרנזיסטור ‪ QN‬ברוויה‪. iDn  Kn VDD  VD  VT  :‬‬
‫‪2‬‬
‫הזרם יורד עד אפס כאשר‪. VTn  Vout , Vout  VDD  VT :‬‬
‫עבור‪ QP :‬נקבל‪:‬‬
‫‪2‬‬
‫‪‬‬
‫‪t‬‬
‫‪ iDp  K p VDD  VT‬כאשר‪. VTP  VT 0 :‬‬
‫‪iD‬‬
‫‪ QP‬יכנס לאזור הליניארי ב‪ Vout  VT 0 -‬אך יוליך עד ‪. Vout  VOH  VDD‬‬
‫בשילוב בין שני הטרנזיסטורים שיפרנו זמן מעבר וגם הגענו עד ‪.good 1 - VDD‬‬
‫‪iD‬‬
‫‪p‬‬
‫‪iD‬‬
‫‪n‬‬
‫‪Vout‬‬
‫החיסרון הוא שימוש בשני טרנזיסטורים הגורמים להגדלת הקיבול‪.‬‬
‫‪iD‬‬
‫‪VDD  VTn‬‬
‫‪VDD‬‬
‫כאשר‪:C=0 :‬‬
‫‪iD‬‬
‫נקבל מצב בו ‪ QP‬ו‪ QN -‬מחליפים תפקידים‪.‬‬
‫‪iD‬‬
‫‪n‬‬
‫‪ QP‬יורד עד ‪ Vout  VTp  VT 0‬ו‪ QN -‬יגיע עד‪.good 0 - Vout  VOL  0 :‬‬
‫‪iD‬‬
‫‪p‬‬
‫‪Vout‬‬
‫‪iD‬‬
‫נתבונן על המעבר‪: H  L :‬‬
‫עבור‪ QN :‬נקבל‪ , Vout  VDD  VTn :‬ז"א‪:‬‬
‫‪, Vout  VDD  VTn‬‬
‫‪else‬‬
‫נקבל התנגדות‪:‬‬
‫‪2‬‬
‫‪‬‬
‫‪VDD  Vout‬‬
‫‪‬‬
‫‪1‬‬
‫‪‬‬
‫‪ I ‬‬
‫‪‬‬
‫‪   K n VDD  VTn  Vour‬‬
‫‪ V ‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪, Vout  VTp‬‬
‫עבור‪ QP :‬נקבל‪:‬‬
‫‪, else‬‬
‫‪2‬‬
‫‪‬‬
‫‪,‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪ K V  V  Vout‬‬
‫‪. iDn   n DD Tn‬‬
‫‪‬‬
‫‪0‬‬
‫‪.r‬‬
‫‪n‬‬
‫‪DS‬‬
‫‪ VDD  Vout‬‬
‫‪2‬‬
‫‪‬‬
‫‪ K n VDD  VTp‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪1‬‬
‫‪‬‬
‫‪1‬‬
‫‪‬‬
‫‪ 2 K p VDD  VTp  2 VDD  Vout ‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪. rDSp‬‬
‫‪‬‬
‫‪n‬‬
‫אנו זקוקים להתנגדות כדי לקבוע את זמני המעבר ומקבלים‪ const. :‬‬
‫‪. rT  rDSp rDS‬‬
‫‪| 71‬‬
‫מעגלים אלקטרונים ספרתיים ‪ -‬סיכום ועריכה מאת שי ידרמן‬
‫‪VTp‬‬
‫)‪:Pass Transistor Logic (PTL‬‬
‫המעגל הבא מממש שער ‪:AND‬‬
‫להלן תיאור של מעגל יותר מורכב‪:‬‬
‫המעגל הנ"ל דורש‪ Y  CA  BC  2  4  2  10 :‬טרנזיסטורים‪.‬‬
‫ניתן לראות כי יש לנו ‪ 6‬טרנזיסטורים בכללי (‪ 2‬עבור כניסת ‪.) C‬‬
‫טכנולוגית ‪ PTL‬מאפשרת לצמצם במידת מה את הטרנזיסטורים הנדרשים למימוש פונקצית לוגית‪.‬‬
‫יחד עם זאת לא ניתן לממש על כל פונקציה לוגית את טכנולוגיה זו‪.‬‬
‫מימוש שער ‪ XOR‬בטכנולוגית ‪ CMOS‬דורש‪ 2  2  4  2  12 :‬טרנזיסטורים (המעגל הימני בשקף ‪ 4‬של הרצאה ‪.)4‬‬
‫‪entries‬‬
‫‪NOT‬‬
‫בטכנולוגית ‪ PTL‬נקבל ‪ 2  2  2  2  8‬טרנזיסטורים‪.‬‬
‫‪:Dynamic MOS Logic‬‬
‫עד עכשיו ראינו מעגלים סטטיים‪:‬‬
‫‪ –CMOS‬תכנון פשוט‪ ,‬מימוש כל שער רצוי‪ ,‬חסין לרעש‪ ,‬אין הספק סטטי‪. tPHL  tPLH ,‬‬
‫החיסרון הבולט הוא כמות הטרנזיסטורים עבור שערים מורכבים‪ ,‬קיבול כולל גדל ויוצר השהיות ארוכות‬
‫והספק דינאמי גדול בשל העבודה הטורית הדרושה‪.‬‬
‫‪ – Pseudo NMOS‬הקטנת כמות הטרנזיסטורים על חשבון הספק סטטי‪.‬‬
‫‪ –PTL‬מקטין את מספר הטרנזיסטורים אך מתאים לאפליקציות מסוימות‪.‬‬
‫בשיטה הדינאמית כמות הטרנזיסטורים קטנה תוך שמירה על הספק סטטי אפס וכן היא מהירה‪ .‬זה בא על חשבון מורכבות התכנון‪.‬‬
‫בלוגיקה דינאמית הפעולה מסתמכת על קיבולים פרזיטיים‪ .‬בשל זמן הפריקה יש צורך בריענון מחזורי )‪.(Periodical refresh‬‬
‫לכן יש צורך בשעון עם תדר עבודה מינימלי‪.‬‬
‫יש לנו ‪ 2‬טרנזיסטורים שמחוברים לשעון חיצוני ‪. ‬‬
‫בזמן שהטרנזיסטור העליון מטעין את הקיבולים הפרזיטיים נדאג שהכניסות תהיינה מוכנות‪.‬‬
‫מצב זה מתואר בפאזה ‪.Precharge‬‬
‫‪ - T1‬קבל המוצא נטען – ‪ Precharge‬ומשנים את הכניסות ‪.  A, B, C ‬‬
‫‪ - T2‬פאזת החישוב – ‪ Qe .Evaluate‬דלוק‪. tPLH  0 , VOH  VDD ,‬‬
‫כל עוד אין נתיב מתאים לאדמה בשל הערך של הכניסות ‪, A, B, C‬‬
‫נקבל‪ VDD :‬ואז‪ . tPLH  0 :‬אם הכניסות יוצרות נתיב לאדמה‬
‫אז ‪ VOL  0‬וקיים‪ t PHL :‬כלשהו‪.‬‬
‫‪| 71‬‬
‫מעגלים אלקטרונים ספרתיים ‪ -‬סיכום ועריכה מאת שי ידרמן‬
‫‪ : QP‬נבחר יחס ‪ W / L‬גדול מספיק כדי לטעון את ‪ CL‬בזמן ‪ T1‬אבל מספיק קטן כדי לא להגדיל מדי את ‪. CL‬‬
‫‪ – Ratioless‬לא צריך לתכנן לשאר הטרנזיסטורים ‪ W / L‬כי ‪. VOL  0‬‬
‫חסרונות‪:‬‬
‫‪ .1‬במעגל הבא כאשר ‪ A‬דלוק אז יש לנו טעינה ופריקה של הקבל כי יש מסלול לאדמה‪.‬‬
‫כאשר ‪ A‬כבוי המעגל סגור והערך היציאה ישמר לפי מה שהיה קודם‪-‬לכן‪.‬‬
‫‪ - VIL  VIH  VT‬כניסה להולכה‪.‬‬
‫מקבלים כי שולי הרעש הם‪ NM L  VT :‬ו‪. NM H  VOH  VIH  VDD  VT -‬‬
‫ז"א‪ NM L , NM L  NM H :‬נמוך מדי‪.‬‬
‫‪‬‬
‫‪Y‬‬
‫‪A‬‬
‫‪‬‬
‫‪ .2‬ירידה של מתח המוצא בגלל זרמי הזליגה בתדרי שעון נמוכים‪.‬‬
‫‪ .3‬חלוקת מטען – ‪:Charge sharing‬‬
‫נתבונן במעגל הבא כאשר‪, C  0 , A  0 :‬‬
‫‪. B  VDD‬‬
‫בתחילת פאזת החישוב )‪ (evaluate‬כאשר ‪ QP‬כבוי יש לנו מסלול לאדמה‬
‫שהוא רק הענף המכיל את ‪ C ,B‬ואת ‪ QN‬בטור‪ .‬הקיבול הפרזיטי לא נמצא רק ביציאה‬
‫אלא בין כל ההתקנים‪ .‬נתייחס ספציפית ל‪ - C x -‬הקיבול הפרזיטי בין ‪ B‬ו‪ C-‬לאדמה‪.‬‬
‫היות ו‪ C-‬כבוי אין לנו מסלול לאדמה לכאורה מכיוון שיש לנו קיבול פרזיטי לאדמה‪.‬‬
‫לכן כן יזלוג לנו זרם (מטענים) לאדמה גם כאשר לא נרצה זאת‪.‬‬
‫נניח כי ‪ C x‬פרּוק‪ ,‬הזרם לא יעבור ב‪ QC -‬אלא יפרוק את ‪ CL‬דרך ‪ C x‬ואז‪. Vout  VDD :‬‬
‫הפתרון הוא הוספת טרנזיסטור נוסף שתומך בערך הגבוה‪.‬‬
‫הוספת ‪ QL‬שמושך את מתח המוצא לערך גבוה אך יוצר הספק סטטי‪.‬‬
‫פתרון נוסף הוא טעינת כל הקבלים הפרזיטיים (פתרון נוראי!)‪.‬‬
‫‪ .4‬בעיית השירשור – ‪:Cascading Problem‬‬
‫בפאזת הטעינה ‪ CL1 , CL 2‬נטענים ל‪ . VDD -‬בפאזת החישוב כאשר ‪ A‬הוא ‪ 1‬לוגי נרצה כי ‪ Y1  0‬ו‪. Y2  1 -‬‬
‫בפועל ‪ Q1‬נדלק‪ CL1 ,‬מתחיל להתפרק‪ Q2 .‬נדלק ואז ‪ CL 2‬מתחיל להתפרק‪.‬‬
‫‪y2  1‬‬
‫רק כאשר ‪ Y1‬ירד מתחת ל‪ Q2 , VT -‬יכבה אבל עד אז ‪ CL 2‬איבד מערכו‪.‬‬
‫‪Y1‬‬
‫פתרון דומינו‪( Domino CMOS Logic :‬שקף ‪ 7‬במצגת של הרצאה ‪.)4‬‬
‫במוצא כל דרגה נוסיף מהפך ‪ .CMOS‬בפאזת הטעינה ‪ x‬יעלה ל‪ VDD -‬ו‪ y -‬יהיה אפס‪.‬‬
‫בפאזת החישוב או שהמוצא יישאר נמוך ‪  tPHL  0 ‬או שתהיה עלייה ‪. t PLH‬‬
‫‪t‬‬
‫כאשר נשרשר שערים כאלה‪. Y1  Y2  0 , x1  x2  VDD :‬‬
‫עבור ‪ CL , A  VDD‬נפרק‪ x1 ,‬יורד ‪ Q2‬כבוי ולכן ‪ CL 2‬נשאר טעון‪.‬‬
‫כאשר‪ Q2 , Y1  VT :‬נדלק‪ CL 2 ,‬מתחיל להתפרק‪ x2 ,‬יורד ו‪ y2 -‬עולה עד ל‪. VDD -‬‬
‫‪t‬‬
‫‪| 02‬‬
‫‪y1  0‬‬
‫‪A1‬‬
‫‪VT‬‬
‫‪Y2‬‬
‫מעגלים אלקטרונים ספרתיים ‪ -‬סיכום ועריכה מאת שי ידרמן‬
‫‪VDD‬‬
‫‪VDD‬‬
‫‪VT‬‬
‫פתרון נוסף‪( NP domino :‬מצגת ‪:)5‬‬
‫הדרגה הראשונה עובדת בפאזת הטעינה‪ ,‬ניקח בתור הדרגה השנייה את המשלימה לה במערכת ‪ PUN‬ונחבר אותה‬
‫למשלים של השעון כך שהיא תעבוד בפאזת החישוב‪ .‬בצורה זו חוסכים את המהפך בין הדרגות כי הם משלימות זו של זו‪.‬‬
‫כמו כן‪ ,‬מנצלים יותר זמן שעון‪ .‬אם נרצה לחבר לדרגת ‪ PDN‬דרגה נוספת של ‪ PDN‬יש להיעזר במהפך נוסף‪.‬‬
‫דוגמא‪ :‬המעגל המתאר‪y   x1 x2 x3  x4  x5  x6  :‬‬
‫שני הענפים החיצוניים נכנסים ל‪-PMOS-‬ים של‬
‫הענף האמצעי‪ - x1 x2 x3  x4 :‬לשמאלי ו‪x5  x6 -‬‬
‫לימני‪ .‬הטרנזיסטורים הופכים את הכניסות עקב‬
‫היותם ‪ .PMOS‬המוצא נמצא מתחתיהם כי‬
‫מדובר ברשת ‪ PUN‬ולכן מתקבלת הפונקציה‬
‫המתוארת לעיל‪ .‬בשיטה זו מרוויחים ערך יציב ‪x6‬‬
‫במוצא לאחר מחזור שעון אחד כי בפאזה הטעינה‬
‫הערכים נטענים ל‪-PMOS-‬ים ובפאזת החישוב‬
‫המוצא מוציא את הערך הרצוי‪ .‬אם היינו משתמשים‬
‫בשעון ללא המשלים שלו היינו צריכים ‪ 2‬מחזורים‬
‫כדי לקבל ערך יציב במוצא‪.‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪x1‬‬
‫‪x2‬‬
‫‪x5‬‬
‫‪‬‬
‫‪x4‬‬
‫‪y‬‬
‫‪x3‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪ .5‬זמן מת – ‪ Dead Time‬זמן טעינה מבוזבז‪.‬‬
‫תאי זיכרון‪:‬‬
‫‪Vx‬‬
‫‪VW‬‬
‫נדבר על ‪( FlipFlop‬עם טריגר) ועל ‪( Latch‬ללא סינכרון)‪.‬‬
‫‪:Latch‬‬
‫כדי להבין את אופן הפעולה נפתח את המשוב‪:‬‬
‫המשוב הוא‪ VW  VZ :‬ולכן מתקבלות ‪ 3‬נקודות‪.‬‬
‫הנקודות ‪ A‬ו‪ C-‬הן נקודות עבודה יציבה‪.‬‬
‫הנקודה ‪ B‬אינה יציבה "‪"Meta stable‬‬
‫כי כל שינוי קטן ‪ V‬סביב נקודת זו יגרום לשינוי גדול במוצא‪.‬‬
‫‪Vz‬‬
‫‪Vy‬‬
‫‪Vx‬‬
‫‪VW‬‬
‫‪VOH VZ‬‬
‫‪C‬‬
‫‪B‬‬
‫‪VOL A‬‬
‫‪VW‬‬
‫‪Vz‬‬
‫‪:Flip-Flop‬‬
‫נוסף אות סינכרון‪ .‬יש שני סוגים‪:‬‬
‫‪ – Level trigger .1‬כאשר השעון במצב מסוים המוצא משתנה ובמצב הפוך שומר על ערכו‪.‬‬
‫‪ – Edge trigger .2‬המוצא משתנה בעליית‪/‬ירידת שעון (תלוי מה נקבע)‪.‬‬
‫‪:High Level Triggering‬‬
‫הרכיב מגיב כאשר השעון למעלה‬
‫מגיב בכניסת שעון גבוהה‬
‫‪High Level Triggering‬‬
‫‪| 07‬‬
‫‪:Low Level Triggering‬‬
‫הרכיב מגיב כאשר השעון למטה‪.‬‬
‫(מסומן עם עיגול – ‪ - NOT‬בכניסת השעון)‪.‬‬
‫מגיב בכניסת שעון נמוכה‬
‫‪Low Level Triggering‬‬
‫מעגלים אלקטרונים ספרתיים ‪ -‬סיכום ועריכה מאת שי ידרמן‬
‫‪Vy‬‬
‫‪:Positive Edge Triggering‬‬
‫הרכיב מגיב בעת עליית השעון‪.‬‬
‫סימון משולש הוא לציון ‪.Edge Trigger‬‬
‫‪:Negative Edge Triggering‬‬
‫הרכיב מגיב בעת ירידת שעון‪.‬‬
‫סימון משולש הוא לציון ‪ + Edge Trigger‬עיגול לציון ירידה‪.‬‬
‫מגיב בקצה זה של פולס השעון‬
‫מגיב בקצה זה של פולס השעון‬
‫מגיב בקצה זה של פולס השעון‬
‫מגיב בקצה זה של פולס השעון‬
‫‪Negative Edge Triggering‬‬
‫‪Positive Edge Triggering‬‬
‫‪Negative Edge Triggering‬‬
‫‪Positive Edge Triggering‬‬
‫עד כאן הרצאה ‪ .4‬תאריך‪15.4.12 :‬‬
‫‪:SR Latch‬‬
‫הכניסות ‪ S‬ו‪ R-‬הן בהתאמה ‪ Set‬ו‪.Reset-‬‬
‫הרכיב עובד באופן המתואר ע"י טבלת האמת שלו‪.‬‬
‫לפי טכנולוגית ‪ CMOS‬ידרשו ‪ 8‬טרנזיסטורים למימוש‪.‬‬
‫‪ 4‬לכל שער (יש שתי כניסות וכל כניסה דורשת ‪ 2‬טרנזיסטורים)‪.‬‬
‫‪Qn 1‬‬
‫‪S‬‬
‫‪Qn‬‬
‫‪1‬‬
‫‪0‬‬
‫אסור‬
‫‪0‬‬
‫‪R‬‬
‫‪0‬‬
‫‪1‬‬
‫‪0‬‬
‫‪1‬‬
‫‪0‬‬
‫‪1‬‬
‫‪1‬‬
‫להלן מימוש באמצעות שערי ‪:NAND‬‬
‫ניתן לראות כי באמצעות שערי ‪ NAND‬יש להכניס‬
‫את הערכים המשלימים בכניסות כדי לקבל תיפקוד זהה‪.‬‬
‫כדי להפוך ל‪ FF-‬נחבר שעון כמתואר‪:‬‬
‫מבחינת המימוש לכל שער ‪ NOR‬דרושים ‪ 4‬טרנזיסטורים‪.‬‬
‫לכל שער ‪ AND‬יש צורך ב‪ 6-‬טרנזיסטורים ולכן סה"כ ‪.20‬‬
‫מימוש נוסף‪:‬‬
‫לכל מהפך דרושים ‪ 2‬טרנזיסטורים‪.‬‬
‫לכל מפסק דרוש טרנזיסטור אחד‪.‬‬
‫סה"כ ‪ 8‬טרנזיסטורים‪.‬‬
‫‪| 00‬‬
‫‪Q‬‬
‫‪Q not‬‬
‫‪Clk‬‬
‫‪Clk‬‬
‫‪R‬‬
‫‪S‬‬
‫מעגלים אלקטרונים ספרתיים ‪ -‬סיכום ועריכה מאת שי ידרמן‬
‫מימוש יותר יעיל‪:‬‬
‫מימוש עם טרנזיסטורים‪:‬‬
‫‪VDD‬‬
‫‪VDD‬‬
‫‪Q‬‬
‫‪VDD‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪Q‬‬
‫‪S‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪R‬‬
‫‪S‬‬
‫‪Q‬‬
‫‪Q‬‬
‫רכיב ‪:LM555‬‬
‫להלן פירוט רכיב ‪.555‬‬
‫יש לנו מחלק מתח בין מתח ההספקה והאדמה‪.‬‬
‫‪1‬‬
‫‪2‬‬
‫המתחים‪. VTL  VCC , VTH  VCC :‬‬
‫‪3‬‬
‫‪3‬‬
‫לא נכנס לערכי הנגדים של מחלק המתח‪.‬‬
‫‪:One Shot/ Monostable Multivibrator‬‬
‫אנו יכולים להוציא פולס ברוחב רצוי לפי כניסת טריגר‪.‬‬
‫להלן תיאור מעגל שבכניסתו נגד וקבל ובכניסת הטריגר מחזיקים מתח גבוה וברגע שנוריד את ערכו נקבל עירעור‪.‬‬
‫‪| 02‬‬
‫מעגלים אלקטרונים ספרתיים ‪ -‬סיכום ועריכה מאת שי ידרמן‬
‫‪R‬‬
‫במצב היציב המוצא אפס ‪ Q  0‬ואז‪ Q  1 :‬וטרנזיסטור ‪ Q1‬הוא פעיל ופורק את הקבל לאדמה‪.‬‬
‫כעת במוצא המשווה הראשון יש אפס כי הערך ב‪ "+" -‬נמוך יותר מאשר הערך ב‪."-" -‬‬
‫(משווה מוציא ‪ 1‬כאשר הערך ב‪ "+"-‬גדול מהערך ב‪ "-"-‬ואפס אחרת)‪.‬‬
‫‪1‬‬
‫במשווה התחתון יש לנו מתח של ‪ VTL  VCC‬בכניסת ה‪ "+"-‬ומתח של ‪ 1‬לוגי ‪ VCC ‬בכניסת ה‪ "-"-‬ולכן הוא גם מוציא אפס‪.‬‬
‫‪3‬‬
‫כאשר נוריד את הטריגר לאפס המשווה התחתון יוציא ‪ ,1‬נכנס למצב ‪ Set‬ואז ‪ Q  0 , Q  1‬והטרנזיסטור ‪ Q1‬מנותק‪.‬‬
‫בשלב זה הקבל והנגד החיצוניים מחוברים בטור ויוצרים מעגל ‪ RC‬אשר טוען את הקבל עד למתח של ‪. VCC‬‬
‫‪2‬‬
‫כאשר הקבל יגיע למתח ‪ VTH  VCC‬המשווה העליון יוציא ‪ .1‬בשלב זה מניחים שהטריגר חזר ל‪ 1-‬לוגי לפני שהקבל עלה לערך‬
‫‪3‬‬
‫אשר שינה את המשווה העליון‪ .‬כך נוצר מצב שב‪ R-‬יש לנו ‪ 1‬וב‪ S-‬יש לנו ‪.0‬‬
‫למעשה יש לנו כאן מעבר ממצב ‪ 10‬למצב ‪ 00‬ובסוף למצב ‪( 01‬כאשר התייחסתי לביטים‪.)SR :‬‬
‫הסיבה לפריקה המהירה של הקבל ביחס לטעינה איטית היא התנגדות המוצא הקטנה של הטרנזיסטור ‪.Q1‬‬
‫לכן קבוע הזמן של הפריקה‪ ,‬התלוי בקיבול הקבל והתנגדות המוצא שלו‪ ,‬קטן בהרבה מקבוע הזמן הנקבע ע"י הנגד החיצוני והקבל‪.‬‬
‫בטעינה נקבל את תיאור המתח על הקבל‪. VC  t   VCC 1  et / RC  :‬‬
‫‪1‬‬
‫‪1‬‬
‫אותנו מעניין פרק הזמן שבו המתח מגיע ל‪ VTL  VCC -‬ולכן‪. VC  t  T   VCC 1  E t / RC   VCC :‬‬
‫‪3‬‬
‫‪3‬‬
‫נקבל‪. T  RC ln 3  1.1RC :‬‬
‫‪:Astable Multivibrtor‬‬
‫כעת נממש מעגל שמוציא פולסים כל הזמן‪.‬‬
‫נניח כי בתחילה הקבל לא טעון‪.‬‬
‫המשווה התחתון יוציא ‪ 1‬והעליון – ‪. 0‬‬
‫הטרנזיסטור ‪ Q1‬מנותק והקבל נטען לכיוון‬
‫‪. VCC‬‬
‫‪1‬‬
‫הקבל נטען‪ ,‬כאשר הוא עובר את המתח ‪ VTL  VCC‬ואז המשווה השני‬
‫‪3‬‬
‫מוציא אפס ואנו במצב זמני של ‪ – 00‬שמירת ערך המוצא‪.‬‬
‫‪2‬‬
‫כאשר הוא עובר את המתח ‪ VTH  VCC‬המשווה העליון מוציא ‪.1‬‬
‫‪3‬‬
‫אנו במצב ‪ Reset‬ולכן יוצא לנו אפס‪. Q  0 :‬‬
‫הטרנזיסטור ‪ Q1‬מתחיל להוליך והקבל מתחיל להתפרק‪.‬‬
‫הקבל יכול להתפרק או דרך התנגדות המוצא של הטרנזיסטור או דרך ‪. Rb‬‬
‫‪1‬‬
‫הקבל מתפרק עד שהמתח עליו יורד ל‪ . VTL  VCC -‬במצב הביניים הכניסות הן ‪.00‬‬
‫‪3‬‬
‫לכן שהקבל עבר את מתח זה מקבל שוב ‪ 1‬במוצא המשווה התחתון ואז אנו במצב ‪.Set‬‬
‫כעת היציאה ‪ Q  1‬וכך הלאה‪.‬‬
‫‪| 02‬‬
‫מעגלים אלקטרונים ספרתיים ‪ -‬סיכום ועריכה מאת שי ידרמן‬
‫נחשב את הזמנים‪ TH :‬ו‪ TL -‬ובהתאם להם את ה‪:DutyCycle-‬‬
‫בטעינת הקבל ההתנגדות החיצונית היא‪ Ra  Rb :‬ולכן‪. VC  t   VCC  VCC  VTL  et / C  Ra  Rb  :‬‬
‫נשווה‪ VC  t   VTH :‬למציאת ‪ TH‬ונקבל‪. TH  C  Ra  Rb  ln 2  0.69C  Ra  Rb  :‬‬
‫בפריקת הקבל ההתנגדות שדרכה הוא מתפרק היא‪ Rb  r0  Rb :‬ולכן‪. VC  t   VTH et / CRb :‬‬
‫נשווה‪ VC  t   VTL :‬למציאת ‪ TL‬ונקבל‪. TL  0.69CRb :‬‬
‫‪R  Rb‬‬
‫‪TH‬‬
‫זמן המחזור הוא‪ T  TH  TL :‬ולכן‪:‬‬
‫‪ a‬‬
‫‪T‬‬
‫‪Ra  2 Rb‬‬
‫כאשר‪ Ra  Rb :‬נקבל‪. DutyCycle  D.C  1 :‬‬
‫‪. DutyCycle  D.C ‬‬
‫כאשר‪ Rb  Ra :‬נקבל‪. DutyCycle  D.C  0.5 :‬‬
‫‪:D-FF‬‬
‫יחידת זכרון זו מחברת את כניסות ה‪ Set-‬וה‪ Reset-‬דרך מהפך‪.‬‬
‫כאשר ‪   0‬שינוי ‪ D‬לא משפיע על המוצא‪.‬‬
‫כאשר ‪ ‬עולה אז‪. D  Q :‬‬
‫המימוש הנ"ל דורש ‪ 18‬טרנזיסטורים‪.‬‬
‫מימוש נוסף‪:‬‬
‫‪Q‬‬
‫‪Q‬‬
‫סה"כ מספר טרנזיסטורים‪. 3  2  2  8 :‬‬
‫קל לראות כי כאשר ‪   1‬הכניסה ‪ D‬עוברת דרך‬
‫שני המהפכים בלבד (המשוב מתנתק) ולכן‪. D  Q :‬‬
‫כאשר ‪   0‬הכניסה ‪ D‬מבודדת מהמשוב ולכן במוצא‬
‫מתקבל הערך של ‪ D‬רגע לפני ירידת השעון‪.‬‬
‫‪‬‬
‫‪D‬‬
‫‪‬‬
‫נשים לב כי תיאורטית הערכים של ‪ ‬ושל ‪ ‬הם משלימים אבל זה לא נעשה תוך אפס זמן‪.‬‬
‫יש לנו זמן מסוים שבו הם מתחלפים אשר עלול לגרום לשינויים לא רצויים במוצא‪.‬‬
‫טריגר ‪:Master-slave FF‬‬
‫להלן פירוט המעגל ומימוש באמצעות טרנזיסטורים‪:‬‬
‫‪2‬‬
‫‪out‬‬
‫‪1‬‬
‫‪x‬‬
‫‪D‬‬
‫‪| 02‬‬
‫‪1‬‬
‫‪2‬‬
‫‪Slave‬‬
‫‪Master‬‬
‫מעגלים אלקטרונים ספרתיים ‪ -‬סיכום ועריכה מאת שי ידרמן‬
‫להלן אוסף גרפים עבור כניסות השעון כאשר‪: 1  2 :‬‬
‫בהתחלה (שני הקווים האדומים הראשונים) הכניסה חסומה‪.‬‬
‫עד ש‪ 1 -‬אינו עולה ה‪ D-‬אינו מתחיל לעבור‪.‬‬
‫לכן אין לנו כלום ב‪ x -‬וכנ"ל במוצא‪.‬‬
‫לאחר עליית ‪ 1‬המידע עובר (המשוב פתוח) ישירות ל‪. x -‬‬
‫ברגע ‪ 1  1 , 2  0‬העבד מנותק והאדון מחובר (משוב פתוח)‪.‬‬
‫בתחום ה‪ 1  2  0  Overlap-‬הבעיה היא ששתי לולאות‬
‫המשוב פתוחות וצריך לסמוך על הקיבול הפרזיטי שישמור את המטען‪.‬‬
‫כאשר ‪ 1  0 , 2  1‬המידע עובר מ‪ x -‬ליציאה‪ .‬המשוב פתוח‪.‬‬
‫כאשר ‪ 2‬יורד לולאת המשוב נסגרת וערך זה נשמר עד לפעם הבאה‪.‬‬
‫בעליית ‪ 2‬הערך של המוצא משתנה לערך של ‪ D‬בסוף המחזור של ‪. 1‬‬
‫נחזור למצב‪ 1   :‬ו‪ 2   -‬ונראה כי הערך בירידת שעון המוצא‬
‫יקבל את הערך של ‪.D‬‬
‫בעיה‪:‬‬
‫אי אפשר להעלות מהר ובו זמנית את השעון והמידע‪ .‬כדי להתגבר על כך נרפד בזמנים לפני ואחרי עליית המידע‪ tsetup :‬ו‪thold -‬‬
‫כאשר‪ - tsetup :‬לפני עליית השעון ו‪ - thold -‬אחרי עליית השעון‪ .‬ללא זמנים אלו אנו עלולים לגרום נזק לרכיב שכן אם הם עולים בו‬
‫‪t /‬‬
‫‪ef r‬‬
‫‪. MTBU ‬‬
‫זמנית והמוצא מזין מספר שערים‪ ,‬כל שער עלול לזהות אחרת ‪ 0‬או ‪ 1‬לוגים‪ .‬מגדירים זמן ממוצע לכשל‪:‬‬
‫‪f c f d T0‬‬
‫פרמטרים מערכתיים‪:‬‬
‫‪ - t f‬זמן למוצא יציב‪.‬‬
‫‪clk‬‬
‫‪ - f C‬תדר שעון‪.‬‬
‫‪hold‬‬
‫‪ - f d‬תדר מידע‪.‬‬
‫פרמטרים של הרכיב הנתונים מהיצרן‪:‬‬
‫‪ - T0‬קבוע זמן ליציאה ממצב ‪.Metastability‬‬
‫‪D‬‬
‫‪setup‬‬
‫‪ -  r‬קבוע זמן של ה‪( Latch-‬יורד עם עליית ההגבר)‪.‬‬
‫ערכים אופייניים‪:‬‬
‫‪. tc  50MHz , f d  100kHz , t f  10n sec , T0  0.1sec ,  r  0.2n sec‬‬
‫‪t /‬‬
‫‪exp 10 / 0.2 ‬‬
‫‪ef r‬‬
‫‪‬‬
‫כאשר נציב נקבל‪ 1010 sec  317 years :‬‬
‫‪f c f d T0 50 100k  0.1‬‬
‫‪. MTBU ‬‬
‫זה הזמן הממוצע לכשל עבור רכיב אחד‪ ,‬אבל בד"כ עם מיליון רכיבים נקבל‪:‬‬
‫‪1010‬‬
‫‪ . 6  104 sec  2.8Hour‬יש לנו כאן בעיה כי כל ‪ 3‬שעות בערך יהיה כשל במעגל‪.‬‬
‫‪10‬‬
‫‪Dout‬‬
‫‪D‬‬
‫כדי לפצות על כך נותנים ל‪ D -‬זמן התייצבות וכך ‪ Dout‬שמזין את השערים הבאים יציב‪.‬‬
‫עד כאן הרצאה ‪ .5‬תאריך‪22.4.12 :‬‬
‫‪| 02‬‬
‫מעגלים אלקטרונים ספרתיים ‪ -‬סיכום ועריכה מאת שי ידרמן‬
‫עיוותים הנוצרים כתוצאה מהשעון‪:‬‬
‫בעיה ‪:1‬‬
‫כאשר השעון החיצוני עולה לערך ‪ 1‬לוגי ועובר דרך שער ‪ NOT‬ישנה השהייה קטנה שבה יכולים להיות שני ‪ 1‬לוגי‬
‫(בכניסת השעון ובמוצא השער) אשר יכולים לגרום למצב של מירוץ קריטי (דוגמא משיעור קודם)‪.‬‬
‫‪Q‬‬
‫‪Q‬‬
‫‪‬‬
‫‪D‬‬
‫שני השעונים על ‪ 1‬לוגי ואז יש מירוץ בין ה‪ D-‬ל‪ Q-‬בתוך הלולאה‪.‬‬
‫בעיה ‪:2‬‬
‫‪‬‬
‫כאשר נחבר רכיב נוסף לשעון יכולה להיווצר אותה הבעיה בשלבים מאוחרים יותר‪.‬‬
‫בעיה ‪:3‬‬
‫כאשר מחברים שעון לרכיב מרובה יציאות יש לנו קיבולים גדולים והשהייה התלויה באורך הקווים‪.‬‬
‫ניתן לפצל את מספר היציאות ולהוריד את גודל הקיבולים אך לא את התלות של האורך בהשהייה‪.‬‬
‫כדי להתגבר על בעיית קווי ההולכה מתכננים את השעון במרכז השבב‪.‬‬
‫בעיה ‪:4‬‬
‫זמני ‪ Setup‬ו‪ Hold-‬שראינו בשבוע שעבר‪ .‬ראינו כי פתרון אחד הוא ליצור זמן "מת" שבו לא נותנים למידע לעבור‪.‬‬
‫פתרון נוסף הוא ע"י ‪.Master-Slave‬‬
‫‪| 01‬‬
‫מעגלים אלקטרונים ספרתיים ‪ -‬סיכום ועריכה מאת שי ידרמן‬
‫אוגרים וקווי הולכה‪:Registers &Busses :‬‬
‫יש לנו ‪ Bus‬בכניסה ובמוצא בגדלים של‪ -  D0 D1 ,....., DN 1  :‬בכניסה ו‪ - Q0Q1 ,....., QN 1  -‬במוצא‪.‬‬
‫אוגר הזזה‪:Shift Register :‬‬
‫אם ניקח את היציאה כ‪ Bus-‬של ‪ , Qn n0 Qn‬העברנו מידע טורי‪.‬‬
‫‪N 1‬‬
‫אם ניקח את היציאה האחרונה בלבד ‪ , QN 1‬השהינו את הכניסה במספר מחזורים השווה למספר ה‪.FF-‬‬
‫יצירת סדרה אקראית‪:‬‬
‫נוכל ליצור סדרה אקראית (עד כמה שניתן) ע"י חיבור של שער ‪ XOR‬לשתי כניסות אקראיות בין ה‪ FF -‬כמתואר‪.‬‬
‫אורך הסדרה האקראית הוא ‪ . 2N  1‬הוא עובר על כל האפשרויות בלי חזרות‪ .‬צריך למנוע מהמערכת להיתקע על סדרת אפסים‪.‬‬
‫‪Q‬‬
‫‪D‬‬
‫‪Q‬‬
‫‪D‬‬
‫‪Q‬‬
‫‪D‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫מבחינה דינאמית נצטרך מספר טרנזיסטורים (ל‪. 2   2 1  2  2   12 :)MS-FF-‬‬
‫‪ Switch NOT ‬‬
‫בסה"כ עבור ‪ FF N‬נצטרך ‪ 12N‬טרנזיסטורים – די הרבה‪..‬‬
‫כדי לחסוך ניתן להשתמש בשיטה הדינאמית המתוארת להלן‪:‬‬
‫‪2‬‬
‫‪Dout‬‬
‫‪Din‬‬
‫‪2‬‬
‫כל תא בסיסי של ‪ FF‬המורכב מ‪ Master-Slave-‬דורש ‪ 4‬טרנזיסטורים לכל דרגה – סה"כ ‪ 8‬טרנזיסטורים‪.‬‬
‫יש לנו כעת ‪ 8N‬טרנזיסטורים ועוד ‪ 2‬טרנזיסטורים פעם אחת ליצירת מהפך לשעון אשר מתחבר לכולם‪.‬‬
‫לטכנולוגיה זו קוראים‪ Transition Gate :‬אשר לא תמיד תואמת ‪.CMOS‬‬
‫‪| 01‬‬
‫‪1‬‬
‫מעגלים אלקטרונים ספרתיים ‪ -‬סיכום ועריכה מאת שי ידרמן‬
‫‪1‬‬
‫פתרון תואם בטכנולוגית ‪:CMOS‬‬
‫להלן פתרון בטכנולוגית ‪:CMOS‬‬
‫הבעיה היא שצריך להכניס את השעון והמשלים שלו‪.‬‬
‫ראינו כבר כי ישנם מצבים שבהם השעון והמשלים שלו הם על אותו‬
‫הערך הלוגי למשך זמן השהייה מסוים אשר הורסים את התיפקוד‬
‫של המערכת‪.‬‬
‫יש אפשרות נוספת והיא להשתמש בשעון יחיד‪.‬‬
‫פתרון‪:TSPC – The Single Phase Clock :‬‬
‫ננתח את המעגל השמאלי – ‪ TSPC‬חיובי‪:‬‬
‫כאשר ‪ Clk‬הוא ‪ 1‬לוגי אז המתג סגור (מוליך)‪.‬‬
‫השער הראשון הוא שער ‪ NOT‬קונבנציונאלי‪ .‬במצב זה נקבל שני שערי ‪.NOT‬‬
‫כאשר ‪ Clk‬שווה ל‪ 0-‬לוגי הטרנזיסטור התחתון מנותק (שמחובר ל‪ )PDN-‬בשתי הדרגות‪.‬‬
‫המוצא יכול להיות צף (שיטה דינאמית)‪ .‬עקב כך מקבלים כי המערכת הנ"ל היא ‪ Level Trigger‬בניגוד למה שאנו צריכים‪.‬‬
‫פתרון – מימוש שעון באמצעות גוזר‪:‬‬
‫‪| 01‬‬
‫מעגלים אלקטרונים ספרתיים ‪ -‬סיכום ועריכה מאת שי ידרמן‬
‫הסבר‪:‬‬
‫בתחילה השעון על ‪ 0‬לוגי אשר נכנס לכניסת אחת של ה‪.AND-‬‬
‫בכניסה השנייה יושב גם ‪ 0‬לוגי‪ .‬לאחר מכן‪ ,‬כשהשעון עולה ל‪ 1-‬לוגי ונכנס לרגל אחת של ה‪ ,AND-‬המוצא של טרנזיסטור‬
‫ה‪ CMOS-‬עולה ל‪ 1-‬לוגי לאחר השהייה מסוימת‪ .‬בעלייה ל‪ 1-‬לוגי שער ה‪ AND-‬מוציא ‪ 1‬לוגי אשר יוצא ב‪.CLKG-‬‬
‫מיד לאחר מכן הטרנזיסטור התחתון של ה‪ CMOS-‬נפתח ומוריד חזרה את הערך שבכניסה הנמוכה של שער ה‪AND-‬‬
‫ל‪ 0-‬לוגי‪ .‬רוחב הפולס וההשהיה תלויים בזמני ההשהייה של השערים ‪( AND-NOT-NOT‬הקיבולים הדינאמים שלהם)‬
‫אוגר הזזה אנלוגי‪:‬‬
‫נשתמש בהתקן כזה במדידות רציפות כגון תא שמודד חום‪.‬‬
‫התא מורכב מיחידות‪-‬יחידות אשר כל אחת מהן מחזיקה ערך כלשהו רציף (לא רק ‪ 1‬או ‪ 0‬לוגי)‪.‬‬
‫השיטה לריקון והקריאה של התאים מתבצעת ע"י שיטה הנקראת‪.Bucket bridge :‬‬
‫שיטה זו מרוקנת בצורה טורית את הערכים בכל שורה מהתא הראשון ועד לאחרון כך שבכל פעם מעבירה את הערך מ‪FF-‬‬
‫אחד לחברו ותוך כדי מבצעת שמירה וקריאה של הערך העומד ב‪ FF-‬המסוים‪.‬‬
‫מפענח – ‪:Decoder‬‬
‫יש לנו ‪ N‬כניסות ו‪ m  2N -‬יציאות‪.‬‬
‫נבצע חישוב טרנזיסטורים‪:‬‬
‫כל שער ‪ NOT‬דורש ‪.2‬‬
‫כל שער ‪ AND‬דורש ‪.6‬‬
‫סה"כ‪. 2  2  4  6  28 :‬‬
‫כדי לצמצם את זה נעזר בזהות‪. AB  A  B :‬‬
‫נשתמש בשער ‪ NOR‬וניקח את הערכים המשלימים‪.‬‬
‫כעת שערי ה‪ NOR-‬יחליפו את שערי ה‪ AND -‬ונקבל‪. 2  2  4  4  24 :‬‬
‫צורת רישום למפענחים עם כניסות רבות‪:‬‬
‫הנקודות יסמנו את הכניסות לכל שער ‪.AND‬‬
‫צורת הרישום עם מימוש של שערי ‪:NOR‬‬
‫‪A0‬‬
‫‪A1‬‬
‫‪| 22‬‬
‫מעגלים אלקטרונים ספרתיים ‪ -‬סיכום ועריכה מאת שי ידרמן‬
‫ראינו כי כאשר יש לנו שערים שברוב הזמן (והצירופים) נותנים ‪ 0‬לוגי (שערי ה‪ )NOR-‬ניתן להשתמש בטכנולוגית‬
‫‪ Pseudo -NMOS‬כדי לחסוך טרנזיסטור נוסף ובס"ה נקבל כעת‪. 2  2  4  3  16 :‬‬
‫צורת הרישום לפי טכנולוגית ‪:Pseudo -NMOS‬‬
‫‪D0  0, 0 ‬‬
‫יש לנו כאן ביזבוז הספק ולכן נשתמש בצורה הדינאמית‪.‬‬
‫‪D1  0,1‬‬
‫‪A0‬‬
‫‪A1‬‬
‫מימוש בצורה הדינאמית‪:‬‬
‫הסבר על השורה הראשונה – ערך המוצא הוא‪ D0  1 :‬כאשר‪ .  A2 , A1 , A0    0,0,0  :‬יש לנו ‪ 3‬טרנזיסטורים מחוברים במקביל‬
‫ולכן בפתיחה של אחד מהם (‪ 1‬לוגי באחת הכניסות ‪ )  A2 , A1 , A0 ‬יווצר מסלול לאדמה אשר יוריד את הערך של ‪ D0‬ל‪ 0-‬לוגי‪.‬‬
‫אחרת כל עוד כולם ‪ 0‬לוגי המוצא ניזון מה‪ PMOS-‬שלמעלה ומוציא ‪ 1‬לוגי‪.‬‬
‫עבור השורה הבאה‪ D1  1 :‬כאשר‪  A2 , A1 , A0    0,0,1 :‬ולכן מחברים את ה‪-NMOS-‬ים לכניסות ‪ A2 , A1‬ו‪. A0 -‬‬
‫החיבור ל‪ A0 -‬הוא מכיוון שעבור ‪ A0  0  A0  1‬ואז בצירוף הנדרש מקבל כי אין אף מסלול לאדמה ובמוצא נראה ‪ 1‬לוגי‪.‬‬
‫(בשלב ה‪ Precharge-‬טוענים את הטרנזיסטור העליון ואז הוא תמיד מושך ל‪ 1-‬לוגי)‪.‬‬
‫‪| 27‬‬
‫מעגלים אלקטרונים ספרתיים ‪ -‬סיכום ועריכה מאת שי ידרמן‬
‫צורת מבנה של ‪:Read Only Memory - ROM‬‬
‫יש לנו ‪ Lock-Up-Table‬אשר שומרת לפי כתובות את הערכים של פונקציה לוגית מסוימת‪.‬‬
‫נניח לצורך הדוגמא כי יש לנו פונקציה של ‪ 3‬משתני כניסה ולכן ‪ 8‬ערכי יציאה לכל צירוף‪.‬‬
‫ה‪ Decoder-‬מקבל את הצירוף של משתני הכניסה ומוציא פולס לכתובת הנדרשת‪.‬‬
‫לכל כתובת מחובר שער ‪ AND‬המקבל את הפולס מה‪ Decoder-‬ומה‪ Lock-Up-Table-‬ומוציא את הערך של הפונקציה הלוגית‬
‫עבור הצירוף הנתון‪ .‬נרצה להשתמש בטרנזיסטור בודד למימוש שער ה‪ AND-‬המקשר בין מוצא ה‪ Decoder-‬והכתובת בזיכרון‪.‬‬
‫לשם כך נחבר טרנזיסטור אשר מקבל ‪ 1‬לוגי מהמקודד ופותח את הכתובת המסוימת בזיכרון‪.‬‬
‫הטבלת אמת שולחת לביטים הללו‬
‫את הפונקציות עבור כל צירוף של‬
‫ביטי הכניסה‪ .‬נניח ויש לנו ‪3‬‬
‫ביטים בכניסה אז טבלת האמת היא‬
‫למעשה לוגיקה צירופית של ‪8‬‬
‫פונקציות שונות אשר כל אחת‬
‫‪.‬‬
‫עד‬
‫יוצאת ליציאות‬
‫אנו לא מתייחסים כעת למספר‬
‫הטרנזיסטורים של טבלת האמת‪.‬‬
‫צורה נוספת להחלפה של המערכת המתוארת‪:‬‬
‫נעשה את החשבון עבור התצורה הקודמת‬
‫במקרה של ‪. 2  3  3  8  30 :3X8‬‬
‫(יש לנו ‪ 3‬ביטים ולכל אחד מהם דרוש‬
‫הערך המשלים שלו‪ .‬יוצרים זאת ע"י מהפך‪.‬‬
‫כל מהפך דורש ‪ 2‬טרנזיסטורים ולכן ‪.)6‬‬
‫(מימוש המקודד בצורה הדינאמית שראינו‬
‫לעיל דורש ‪ 3‬טרנזיסטורים לכל שורה‪.‬‬
‫בסה"כ יש לנו ‪ 24‬טרנזיסטורים למימוש)‪.‬‬
‫כאשר נוסיף את ‪ 8‬הטרנזיסטורים המממשים את‬
‫שערי ה‪ AND-‬נקבל ‪ 38‬טרנזיסטורים – די הרבה‪.‬‬
‫במקרה הסמוך יש לנו ‪ 14‬טרנזיסטורים המחוברים ישירות‬
‫לביטים וכך ע"י כל הדלקה מתאימה נקבל את המוצא הדרוש‪.‬‬
‫עד כאן הרצאה ‪ .6‬תאריך‪29.4.12 :‬‬
‫‪| 20‬‬
‫מעגלים אלקטרונים ספרתיים ‪ -‬סיכום ועריכה מאת שי ידרמן‬
‫מימושים של ‪:Look-Up-Table‬‬
‫בהרצאה קודמת ראינו את המבנה הכללי הבא‪:‬‬
‫נתבונן בדוגמא הבאה‪:‬‬
‫עבור‪ n  2 , m  3 :‬נממש את הפונקציות הבאות‪:‬‬
‫‪F1  x1 , x0    1, 2,3‬‬
‫‪F2  x1 , x0     0,3‬‬
‫‪F3  x1 , x0     0,1‬‬
‫להלן תיאור טבלת האמת והסכמה הלוגית‪:‬‬
‫‪F3‬‬
‫‪1‬‬
‫‪1‬‬
‫‪0‬‬
‫‪0‬‬
‫‪F2‬‬
‫‪1‬‬
‫‪0‬‬
‫‪0‬‬
‫‪1‬‬
‫‪F1‬‬
‫‪0‬‬
‫‪1‬‬
‫‪1‬‬
‫‪1‬‬
‫‪x0‬‬
‫‪0‬‬
‫‪1‬‬
‫‪0‬‬
‫‪1‬‬
‫‪x1‬‬
‫‪0‬‬
‫‪0‬‬
‫‪1‬‬
‫‪1‬‬
‫עקב ריבוי החוטים נחפש שיטות לפישוט‪.‬‬
‫‪:Programmable Logic Array - PLA‬‬
‫בדוגמא הבאה אין חיבור ליציאה ‪ 4‬ולכן לא מוציאים את החוט שלה כלל‪.‬‬
‫‪F4‬‬
‫‪1‬‬
‫‪1‬‬
‫‪0‬‬
‫‪1‬‬
‫‪0‬‬
‫‪1‬‬
‫‪0‬‬
‫‪1‬‬
‫‪F3‬‬
‫‪0‬‬
‫‪1‬‬
‫‪1‬‬
‫‪1‬‬
‫‪0‬‬
‫‪0‬‬
‫‪0‬‬
‫‪0‬‬
‫‪F2‬‬
‫‪0‬‬
‫‪1‬‬
‫‪0‬‬
‫‪1‬‬
‫‪0‬‬
‫‪1‬‬
‫‪1‬‬
‫‪1‬‬
‫‪F1‬‬
‫‪1‬‬
‫‪1‬‬
‫‪0‬‬
‫‪0‬‬
‫‪0‬‬
‫‪0‬‬
‫‪1‬‬
‫‪1‬‬
‫‪x1 x2 x3‬‬
‫‪000‬‬
‫‪001‬‬
‫‪010‬‬
‫‪011‬‬
‫‪100‬‬
‫‪101‬‬
‫‪110‬‬
‫‪111‬‬
‫הפונקציות‪. F1  x1 x2  x1 x2 , F2  x3  x1 x2 , F3  x1 x3  x1 x2 , F4  x3  x1 x2 :‬‬
‫הרעיון הוא שכאשר אין לנו צורך במספר היציאות הקיים אלא רק בחלק ממנו נוכל לצמצמם את מספר הטרנזיסטורים בצורה יעילה‪.‬‬
‫הדבר מוגבל למימושים מאוד מסוימים ולכן לא תמיד נעדיף להשתמש בטכנולוגיה זו‪.‬‬
‫נציין כי האפשרות הראשונה יותר זולה מכיוון שכל שעלינו לעשות הוא לחייט בין שערי ה‪ AND-‬הרצויים לשער ה‪ OR-‬שמהווה‬
‫את פונקצית המוצא המסוימת‪ .‬כך ע"י מערך ‪ OR‬עם כל שערי ה‪ AND-‬נוכל לקבל מהלקוח מפרט ולבצע רק את החיוט‪.‬‬
‫ההוזלה באה לידי ביטוי בכך שיש לייצור פחות מסכות (מסכה היא השלב האחרון בתהליך ייצור השבב ומשתנה בהתאם לצרכן)‪.‬‬
‫‪| 22‬‬
‫מעגלים אלקטרונים ספרתיים ‪ -‬סיכום ועריכה מאת שי ידרמן‬
‫‪:Programmable Array Logic - PAL‬‬
‫כעת אנו מתכנתים את שערי ה‪. AND-‬‬
‫בשלב הראשון יש לנו שתי כניסות של ‪ A‬ו‪.B-‬‬
‫אלו נכנסים לתוך מפענח ובסוף לשערי ‪AND‬‬
‫הממומשים ע"י טרנזיסטור בודד‪.‬‬
‫הקווים שלא מחוברים אליהם טרנזיסטורים הם אלו שלא‬
‫מעניינים אותנו‪.‬‬
‫זיכרון ‪:Read Only Memory – ROM‬‬
‫מערכים אלו עובדים על שיטה של מטריצה כפי שנראה מיד‪.‬‬
‫תיאור המבנה הבסיסי‪:‬‬
‫‪ ‬יש לנו מקודד שורות – מפענח רגיל‪ M .‬כניסות ו‪. 2M -‬‬
‫‪ ‬כל יציאה מפעילה מגבר חישה‪ .‬לכל ‪ FF‬אשר מהווה יחידת זכרון‬
‫נוריד את המתח ההפעלה‪ 0,5 v  0,0.1 v :‬כדי לא לבזבז הספק‪.‬‬
‫‪ ‬מגברי חישה אשר מגבירים חזרה את המתח לטווח המלא‪.‬‬
‫‪ ‬נכנסים למפענח העמודה אשר לפי בחירת ביט מוציא את הערך הרצוי‪.‬‬
‫מונחים בסיסיים‪:‬‬
‫‪ .1‬קו השורה‪ ,‬מילה ‪.Word Line -‬‬
‫‪ .2‬קו עמודה ‪.Bit Line -‬‬
‫‪ .3‬תא בזיכרון – ‪.Cell‬‬
‫‪| 22‬‬
‫מעגלים אלקטרונים ספרתיים ‪ -‬סיכום ועריכה מאת שי ידרמן‬
‫ככל שמגדילים את הזיכרון החוטים מתארכים ונוצרות השהיות לא רצויות‪.‬‬
‫לכן מחלקים את השורות לבלוקים ומקבלים בכך מטריצה תלת‪-‬מימדית של‪ :‬שורה ‪ ‬עמודה ‪ ‬בלוק‪.‬‬
‫מפענח השורה‪:‬‬
‫מפענח השורה בנוי באופן רגיל לחלוטין‪.‬‬
‫מפענח עמודה‪:‬‬
‫מאפשרים גישה לביט בודד כפי שראינו בהרצאה קודמת‪.‬‬
‫(המפענח האחרון בדיאגרמה הכוללת)‪.‬‬
‫מימוש ה‪ Mux-‬בצורה יעילה כפי שראינו בהרצאה קודמת‪:‬‬
‫‪| 22‬‬
‫מעגלים אלקטרונים ספרתיים ‪ -‬סיכום ועריכה מאת שי ידרמן‬
‫מימוש של תא זיכרון – ‪:Static Random Access Memory – SRAM‬‬
‫למבנה המתואר קוראים ‪ 6T Cell‬ע"ש מספר הטרנזיסטורים המרכיבים אותו‪:‬‬
‫דיאגרמה לוגית‪:‬‬
‫יש לנו באמצע ‪ FF‬וקו המילה מעליו‪ .‬כאשר קו המילה יהיה גבוה תתאפשר הולכה של הטרנזיסטורים המפעילים את ה‪.FF-‬‬
‫היציאות ‪ B, B‬הן היציאות ‪ Q, Q‬של ה‪ FF-‬שהכרנו בעבר‪ .‬אנו נצטרך את שתי היציאות למגבר החישה בהמשך‪.‬‬
‫פעולת קריאה‪:‬‬
‫נניח כי הערך השמור הוא‪. Q  1 , Q  0 :‬‬
‫כדי לקרוא מעלים את ‪ B , B‬ל‪. VDD -‬‬
‫בוחרים קו מסוים ומעלים גם אותו‪.‬‬
‫נדלקים ‪ . Q5 , Q6‬היות ו‪ Q -‬גבוה ו‪ Q -‬נמוך‬
‫מתקבלים הזרמים כפי כמתואר באיורים בצד‪.‬‬
‫בתחילה ‪ Q6‬מנותק‪ Q  B  '1' :‬ו‪ Q1 -‬עובד‪.‬‬
‫הקבל ‪ CB‬טוען את ‪ CQ‬דרך ‪ . Q5‬כאשר‪ I1  I5 :‬נגיע לשיווי משקל‪ CQ .‬קיבול קטן‪.‬‬
‫כדי לא לפגוע במידע השמור )‪ (nondestructive‬נדרוש ש‪ vQ -‬לא יעלה על מתח הסף של המהפך ‪. Q3 , Q4‬‬
‫לכן‪ Q5 . vQ  vTn  of Q3  :‬ברוויה (נניח שאין אפקט מצע) ו‪ Q1 -‬ליניארי‪:‬‬
‫‪1‬‬
‫‪W ‬‬
‫‪nCox   2 VDD  VTn VQ  VQ2 ‬‬
‫‪2‬‬
‫‪ L 1‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪2‬‬
‫נקבל‪:‬‬
‫‪‬‬
‫‪ 1‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪, I1 ‬‬
‫‪VT‬‬
‫‪W / L 5 ‬‬
‫‪ 1 ‬‬
‫‪W / L 1  VDD  VT‬‬
‫‪n‬‬
‫‪n‬‬
‫‪2‬‬
‫‪‬‬
‫‪1‬‬
‫‪W ‬‬
‫‪nCox   VDD  VTn  VQ‬‬
‫‪2‬‬
‫‪ L 5‬‬
‫‪‬‬
‫‪VW‬‬
‫‪. I5 ‬‬
‫‪VDD‬‬
‫‪t‬‬
‫‪‬‬
‫‪1‬‬
‫‪W / L 5‬‬
‫‪1‬‬
‫‪W / L 1‬‬
‫‪ 1‬‬
‫‪VQ‬‬
‫‪VDD  VTn‬‬
‫‪.‬‬
‫כעת‪ I5  t  CB v :‬והיות ו‪ CB -‬הוא קיבול גדול כי קיבול של קו אורך הוא גדול אז בהכרח ‪ v‬קטן‪.‬‬
‫אצלנו הוא באזור‪. v 0.1,0.2v :‬‬
‫‪VQ‬‬
‫‪VTn‬‬
‫‪t‬‬
‫‪VQ‬‬
‫‪t‬‬
‫‪VB‬‬
‫‪VDD‬‬
‫‪t‬‬
‫‪VB‬‬
‫‪VDD‬‬
‫‪V‬‬
‫‪t‬‬
‫‪| 22‬‬
‫‪‬‬
‫‪t‬‬
‫מעגלים אלקטרונים ספרתיים ‪ -‬סיכום ועריכה מאת שי ידרמן‬
‫פעולת כתיבה‪:‬‬
‫כעת‪ . VQ  0v , VQ  VDD :‬נרצה לכתוב '‪.'0‬‬
‫ראשית נטען‪. W  VDD , B  '0' , B  VDD :‬‬
‫נרצה להוריד את ‪ VQ‬מתחת לסף של ‪ Q1 , Q2‬או להעלות את ‪ VQ‬מעל הסף של ‪. Q3 , Q4‬‬
‫הרעיון המרכזי הוא להוריד את המתח קצת מתחת למצב ה‪ Metastability-‬ומשם המוצאים יתחלפו‪.‬‬
‫בשיווי משקל‪ Q4 , I 4  I 6 :‬ברוויה‪ Q6 ,‬ליניארי ואז‪:‬‬
‫‪1‬‬
‫‪W ‬‬
‫‪nCox    2 VDD  VTn VQ  VQ2 ‬‬
‫‪2‬‬
‫‪ L 6‬‬
‫‪2‬‬
‫‪ p   VTn  ‬‬
‫‪1  ‬‬
‫‪‬‬
‫בהנחת‪  : V  VTn :‬‬
‫‪n   VDD  VTn   Tp‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪, I6 ‬‬
‫‪2‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪1‬‬
‫‪W ‬‬
‫‪nCox   VDD  VTn‬‬
‫‪2‬‬
‫‪ L 4‬‬
‫‪W / L 4‬‬
‫‪W / L 6‬‬
‫‪ p W / L 4‬‬
‫‪‬‬
‫‪n W / L 6‬‬
‫‪. I4 ‬‬
‫‪ 1 1‬‬
‫‪VQ‬‬
‫‪VDD  VTn‬‬
‫‪.‬‬
‫‪:Dynamic RAM - DRAM‬‬
‫תא זיכרון כעת מכיל רק טרנזיסטור אחד‪ .‬יש לנו ‪ NMOS‬בודד עם קיבול‪.‬‬
‫כאשר קו המילה פועל הטרנזיסטור מוליך וניתן לקרוא או לכתוב לקיבול הזה‪.‬‬
‫נשים לב כי אין לנו כאן את המשלים של הביט אשר נדרש למגבר החישה‪.‬‬
‫כתיבה‪:‬‬
‫נניח‪ B  '0' :‬ורוצים לכתוב '‪.'1‬‬
‫לפני הכתיבה נעלה ‪ B  VDD‬ואז נעלה קו המילה והקבל יטען‪.‬‬
‫הקבל יטען עד‪ VCs  VDD  VT :‬ולא עד ל‪ '1'-‬לוגי‪ .‬כדי להתגבר על זה‬
‫מכניסים ערך שיותר גבוה מ‪. W  VDD  VT : VDD -‬‬
‫בעיה נוספת היא בזמן הריענון‪ :‬גם קוראים וגם כותבים מחדש את המידע (כל ‪.)5-10ms‬‬
‫לפי הערכה כ‪ 2%-‬מזמן העבודה השורה לא ניתנת לקריאה בגלל ‪.refresh‬‬
‫הקיבול של קו הביט הוא בערך גדול פי ‪ 10‬מהקיבול הפרזיטי של הטרנזיסטור‪. CB 10CS :‬‬
‫‪| 21‬‬
‫מעגלים אלקטרונים ספרתיים ‪ -‬סיכום ועריכה מאת שי ידרמן‬
‫קריאה‪:‬‬
‫כדי לקרוא‪. B  0.5VDD :‬‬
‫לפי חוק שימור המטען‪. CSVSC  CB  0.5VDD   CB  CS  0.5VDD  V  :‬‬
‫‪CB CS‬‬
‫‪CS‬‬
‫‪C‬‬
‫לכן‪VCS  0.5VDD   S VCS  0.5VDD  :‬‬
‫‪CS  CB‬‬
‫‪CB‬‬
‫‪C V‬‬
‫‪C V‬‬
‫אם‪ VCS  VDD :‬אז‪ . V  '1'  S DD :‬אם‪ VCS  0 :‬אז‪. V  '0'   S DD :‬‬
‫‪CB 2‬‬
‫‪CB 2‬‬
‫לכן יש להכניס את הערך ‪ B  0.5VDD‬עבור קריאה של ‪ 1‬או ‪ 0‬לוגים‪.‬‬
‫‪ . V ‬נחלק למקרים‪:‬‬
‫מגבר חישה – ‪:Differential Sense Amplifier‬‬
‫יש לנו למעשה ‪ FF‬נוסף אשר זורק אותנו מנקודת‬
‫ה‪ Metastability-‬לערך הרצוי‪.‬‬
‫נניח שבתחילה שמור לנו ערך '‪. vB  vB :'1‬‬
‫נעשה‪ (Precharge)  p  '1' :‬ואז‪ Q7 , Q8 , Q9 :‬מוליכים‪.‬‬
‫‪ Q8 , Q9‬מטעינים ל‪. 0.5VDD -‬‬
‫המשווה הזה חשוב כדי לא לבצע חישה מוטעית של ביטים‪.‬‬
‫בשלב הבא נוריד‪  p  '0' :‬ואז '‪ W  '1‬ותוכן התא‬
‫עובר להיות הפרש מתחים קטן‪.‬‬
‫לאחר מכן‪ (Sense) S  VDD :‬מגבר החישה מעביר‬
‫את ההפרש הקטן לטווח המלא של ‪.  0,VDD ‬‬
‫תיאור הרעיון של הפעולה גרפית‪:‬‬
‫יצירת ערך משלים ב‪:DRAM-‬‬
‫כדי ליצור את הערך המשלים עבור מגבר החישה משתמשים בתאי הדמיה‪.Dummy Cells :‬‬
‫לוקחים ‪ dummy‬מהצד ההפוך לצד שממנו יוצא הביט‪.‬‬
‫יש לנו ‪ D‬שטוען אותו למתח ‪ . 0.5VDD‬באופן פרקטי זה עובד יותר טוב‬
‫מאשר להביא את המתח ‪ 0.5VDD‬בצורה חיצונית‪ .‬הרעיון ללקיחת הצד‬
‫ההפוך הוא שאם אחד מקווי המילה בצד מסוים עובדים אז הדמי לא עבד‬
‫שם ולכן עובד השני שממול‪.‬‬
‫‪| 21‬‬
‫מעגלים אלקטרונים ספרתיים ‪ -‬סיכום ועריכה מאת שי ידרמן‬
‫‪:MOS ROM‬‬
‫יש לנו קו מילה מסוים שנדלק (מלמעלה)‬
‫לכל קו יש לנו ‪ Pseudo NMOS‬אשר‬
‫מוריד את הערך ל‪.0-‬‬
‫צורבים אותו פעם אחד ואי אפשר לשנות‪.‬‬
‫אין כאן צורך במגבר חישה כי עובדים עם‬
‫המתחים הרצויים‪.‬‬
‫כדי להימנע מהדרישה שהיצרן יצטרך ליצור עבור כל אחד מה שהוא רוצה עושים את הדבר הבא‪:‬‬
‫טרנזיסטור השער הצף‪:‬‬
‫למודל טרנזיסטור ה‪ MOSFET-‬המסורתי מוסיפים פס מתכת‪.‬‬
‫פס זה נקרא‪ Floating gate :‬והוא נמצא בתוך שכבת האוקסיד‪.‬‬
‫אלקטרונים לא יכולים להגיע אליו בצורה ישירה עקב בידודו‪.‬‬
‫בהפעלת מתח סף מסוים‪ ,‬כתוצאה מאפקט המִנהור )‪ ,(Tunneling Effect‬עוברים‬
‫אלקטרונים דרך שכבת האוקסיד אל ה‪ – FG-‬דבר המגדיל באופן משמעותי את‬
‫מתח הסף החדש של הטרנזיסטור‪ .‬תהליך זה נקרא‪.Programming :‬‬
‫באיור הבא מופיעים סדרי הגודל של המתחים שיש להפעיל על מנת לבצע ‪:Programming‬‬
‫הסמל הלוגי של‬
‫סוג זה מכיל קו‬
‫שבור המסמל את‬
‫פס המתכת ‪.FG‬‬
‫כדי להוציא את האלקטרונים מפסי המתכת נעזרים בקרני ‪ .UV‬תהליך ההוצאה הינו תהליך קוונטי והוא כולל‪ ,‬ז"א לא ניתן‬
‫למחוק תא בודד אלא את כל הזיכרון של הרכיב‪ .‬זה הוא אחד מחסרונות הרכיב‪ .‬חיסרון נוסף הוא הגודל הפיזי הדרוש כדי‬
‫ליצור טרנזיסטור‪-‬שער‪-‬צף אשר גדול בהרבה מטרנזיסטורים רגילים‪.‬‬
‫רכיב זה נקרא‪ EPROM :‬מלשון‪.Erasable Programmable Read Only Memory :‬‬
‫עד כאן הרצאה ‪ .7‬תאריך‪6.5.12 :‬‬
‫‪| 21‬‬
‫מעגלים אלקטרונים ספרתיים ‪ -‬סיכום ועריכה מאת שי ידרמן‬
‫סיכום וחזרה‪:‬‬
‫‪ ‬בהרצאה קודמת ראינו את ה‪.Mask-Programmable ROM-‬‬
‫ראינו כי זיכרון זה מכיל טרנזיסטורים בכל התאים הניתנים לצריבה אישית בשלב האחרון )‪ (Mask‬בהתאם לדרישת הלקוח‪.‬‬
‫‪ ‬ראינו את ה‪ Programmable ROM-‬שבו הלקוח בעצמו שורף מגעים ע"י מעבר זרם גבוה‪.‬‬
‫‪ ‬סיימנו ב‪ EPROM -‬שבנוי מטרנזיסטורים אשר מגדילים את מתח הסף‪.‬‬
‫בתהליך הכתיבה מפעילים מתח גבוה ובתהליך המחיקה מפעילים קרני ‪ UV‬אשר מוחקות את הכל‪.‬‬
‫‪ ‬כעת נראה עוד התקן אחד ודי‪..‬‬
‫‪:(EEPROM=E2PROM ) Electrical EPROM‬‬
‫יש לנו שני חסרונות ב‪:EPROM-‬‬
‫‪ .1‬מחיקה כללית באמצעות ‪.UV‬‬
‫‪ .2‬מחיקה באמצעות קרני ‪ UV‬הדורשות התקן שעושה זאת (בין אם הוא נמצא על ההתקן ובין אם צריך לייבא אותו)‪.‬‬
‫הפתרונות הם באמצעות ההתקן הבא‪:‬‬
‫מקרבים את ה‪ Floating Gate-‬ל‪ Body-‬המאפשר שימוש במתח נמוך‪.‬‬
‫המוליך ‪ Row Select‬מאפשר גישה לשורה מסוימת עבור מחיקה של ביט אחד בזיכרון‪.‬‬
‫חיסרון מרכזי הוא הגודל של ההתקן ולכן בפועל עובדים ללא ‪Row Select‬‬
‫ועם ‪ FG‬קרוב יותר ל‪ Body-‬עבור מתח נמוך‪.‬‬
‫צורה זו נקראת ‪ Flash‬והיא המרכזית בייצור היום‪.‬‬
‫‪Row Select‬‬
‫‪SiO2‬‬
‫‪‬‬
‫‪RS‬‬
‫‪SG‬‬
‫‪FG‬‬
‫‪‬‬
‫‪N‬‬
‫‪SG‬‬
‫יוצרי שעון – ‪:Clock Generators‬‬
‫‪FG‬‬
‫‪‬‬
‫‪N‬‬
‫נפתח בייצור של מחולל אות סינוס )‪.(Sinusoidal oscillator‬‬
‫(המוטיבציה היא שע"י שימוש במשווה ניתן ליצור גל ריבועי)‪.‬‬
‫כדי לעשות זאת נשתמש במעגל עם משוב חיובי (אשר דואג שהמעגל יהיה לא יציב וזה בדיוק מה שאנו רוצים במקרה זה)‪.‬‬
‫להלן תיאור בסיסי של המעגל‪:‬‬
‫נתמקד בתיאור הרגיל שלנו ונמצא את פונקצית התמסורת‪:‬‬
‫‪X f   s X0‬‬
‫‪X p  Xi  X f‬‬
‫‪X0  X p As‬‬
‫‪A s‬‬
‫‪1 As  s‬‬
‫‪| 22‬‬
‫‪‬‬
‫‪Xp‬‬
‫‪Xi‬‬
‫‪H s ‬‬
‫מעגלים אלקטרונים ספרתיים ‪ -‬סיכום ועריכה מאת שי ידרמן‬
‫‪‬‬
‫עבור‪ 1  A  s    s   0 :‬נקבל הגבר אינסופי ‪ ‬תגובת התהודה‪.‬‬
‫נסמן‪ L  s   A  s    s  :‬את ה‪.Loop Gain-‬‬
‫קריטריון ‪ :Barkhause‬נדרוש שבתדר התהודה ‪ L  s  ,  p‬בעוצמה ‪ 1‬ופאזה אפס‪ .‬בנק' זו נקבל הגבר אינסופי‪.‬‬
‫איכות המחולל נקבעת לפי הפאזה‪.‬‬
‫אנו רוצים למצוא את ‪  p‬אך יש לנו רעש בד"כ היוצר מרחק‪  :‬וגורם להפרש פאזה‪.  :‬‬
‫‪‬‬
‫מתקיים‪:‬‬
‫‪d / d ‬‬
‫כדי לצמצם את הפרש הפאזה נרצה שיפוע כמה שיותר גדול עבור הפאזה‪.‬‬
‫נרצה גרף בעל ‪ ‬חד שמשמעו תדר יציב יותר‪.‬‬
‫‪Noise‬‬
‫‪‬‬
‫‪.  p ‬‬
‫‪‬‬
‫‪p‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫גישה נוספת היא לעבור למישור התדר‪ s   j p :‬ולהסתכל על הערכים של הקטבים‪.‬‬
‫אנו צריכים שני קטבים מנוגדים כדי לקבל בהתמרה ההפוכה ‪.cos‬‬
‫נרצה להביא את הפונקציה‪ 1  A  s    s  :‬לצורה‪. s 2   p2 :‬‬
‫מעגל הכי פשוט שייתן מוצא סינוסי כתדר תהודה הוא מעגל מסדר שני – מעגל ‪.RLC‬‬
‫בפועל משתמשים במחולל גביש הבנוי מגביש פיאזואלקטרי (חומר שיוצר תגובה מכנית בהפעלה של שדה חשמלי)‪.‬‬
‫גביש זה הוא חומר בעל רזוננס אלקטרומכני יציב מאוד בזמן ובטמפרטורה‪.‬‬
‫נמדל את הגביש בצורה חשמלית כמתואר להלן‪:‬‬
‫תכונות ומושגים‪:‬‬
‫‪ - L‬קבוע אלסיות גבוה (מאות ‪.) Hy‬‬
‫‪ - CS‬קיבול קטן (קטן מ‪.) fF -‬‬
‫‪ - r‬הפסדי אנרגיה‪.‬‬
‫‪.‬‬
‫‪ - CP‬קיבול בין לוחות הגביש ‪pF ‬‬
‫‪L‬‬
‫‪.Q  0‬‬
‫גורם הטיב של הרכיב הוא‪105 :‬‬
‫‪r‬‬
‫נמצא את האימפדנס של הרכיב (נזניח את ההתנגדות האוהמית הקטנה)‪:‬‬
‫‪1 s 2  1/ LCS‬‬
‫‪ ... ‬‬
‫‪. Z s ‬‬
‫‪1‬‬
‫‪sCP s 2  CS  CP‬‬
‫‪sCP ‬‬
‫‪sL  1/ sCS‬‬
‫‪LCS CP‬‬
‫‪1‬‬
‫‪1‬‬
‫האפס הוא‪:‬‬
‫‪LCS‬‬
‫‪1‬‬
‫‪ s ‬והקוטב הוא‪:‬‬
‫‪CS  C P‬‬
‫‪LCS CP‬‬
‫‪1  2  s2‬‬
‫‪ .  p ‬נכתוב‪:‬‬
‫‪CP  2   p2‬‬
‫‪CS CP‬‬
‫מתכונות הגביש‪ CP  CS :‬ולכן מקבלים גם‪ CS :‬‬
‫‪CS  CP‬‬
‫‪| 27‬‬
‫‪‬‬
‫‪. Z s   j‬‬
‫‪ Z S  Z P ‬ולכן‪. P  S :‬‬
‫מעגלים אלקטרונים ספרתיים ‪ -‬סיכום ועריכה מאת שי ידרמן‬
‫‪ ‬‬
‫מקבלים את הגרף הבא‪:‬‬
‫‪Im Z‬‬
‫כאשר הגרף חיובי העכבה היא השראותית וכאשר היא שלילית – קיבולית‪.‬‬
‫נרצה להיות בתחום‪ - s     p :‬התנהגות השראותית המאפשרת תנודות מכאניות‬
‫(מקדם הטיב מתייחס לתכונות ההשראותיות של הגביש ולכן נרצה לעבוד בתחום זה)‪.‬‬
‫‪‬‬
‫‪p‬‬
‫‪S‬‬
‫להלן שתי תצורות שימוש נפוצות בגביש‪:‬‬
‫‪:Pierce Oscillator‬‬
‫כשדיברנו על מהפך ואפיינו אותו עם ‪ VTC‬ראינו שהעקומה דומה מאוד למדרגה‪.‬‬
‫כעת נרצה להיות בתחום האמצע (המצב ה‪ )Metastabily-‬כי בו כל תזוזה‬
‫תיצור את התנודה שלנו‪ .‬כדי למנוע מהרכיב להגיע למצב יציב משתמשים בנגד‬
‫המשוב ‪ . R f‬הרכיבים‪ R1 , C1 :‬יוצרים ‪.LPF‬‬
‫מקבלים במוצא אות סינוס עם רעש‪.‬‬
‫כאשר נכניס זאת למשווה נקבל כי הרעש מעוות את הגל הריבועי‪.‬‬
‫הרכיב שדואג למנוע את השפעת הרעש נקרא שמיט טריגר‪.‬‬
‫הרכיב מאפשר טווח מסוים של רעש עבורו הוא עוד נשאר במצב הקודם‪.‬‬
‫נדבר על רכיב זה בהמשך‪.‬‬
‫שימושים בשבבים‪:‬‬
‫אם לשבב שלנו יש שעון (עם שמיט טריגר והכל)‪ ,‬נחבר אותו רק לכניסה ‪ X 1‬והכניסה ‪ X 2‬תהיה צפה‪.‬‬
‫אם אנו צריכים להכניס שעון לתוך רכיב‪ ,‬נשתמש בשתי הכניסות של הגביש לשבב ‪. X1 , X 2‬‬
‫יצירת פאזות שעון לא חופפות‪:‬‬
‫ראינו ב‪ Master-Slave FF-‬כי יש ליצור פאזות שעון לא חופפות‪ .‬מבצעים זאת כמתואר להלן‪:‬‬
‫כדי לעשות זאת נעזר במספר זוגי של מהפכים אשר יוצרים השהייה של ‪ td‬בין הכניסה ‪ N1‬למוצא וכנ"ל בשורה התחתונה‪.‬‬
‫‪1‬‬
‫‪2‬‬
‫‪| 20‬‬
‫‪N1‬‬
‫‪clk‬‬
‫‪1‬‬
‫‪2‬‬
‫‪1‬‬
‫‪2‬‬
‫‪N2‬‬
‫מעגלים אלקטרונים ספרתיים ‪ -‬סיכום ועריכה מאת שי ידרמן‬
‫‪clk‬‬
‫נקבל את הגרפים הבאים‪:‬‬
‫‪t‬‬
‫בתחילה השעון על ‪ 0‬לוגי ונניח כי היציאות ‪ 1‬ו‪ 2 -‬מכילות גם ‪.0‬‬
‫היציאה ‪ N1‬היא אפס כי בכניסה לשער ‪ NOR1‬יש ‪.01‬‬
‫כאשר השעון עולה ל‪ 1-‬לוגי‪ ,‬שער ה‪ NOR-‬השני מקבל כניסות של ‪.01‬‬
‫לכן הוא יוציא ‪ 0‬באופן מיידי‪ .‬לאחר זמן ההשהייה ‪ t d‬הכניסה של ‪ 2‬לשער‬
‫‪ NOR1‬ותתחלף מ‪ 0-‬ל‪ 1-‬לוגי ולכן השער יוציא ‪ – 0‬משמע ‪ N1‬יעלה ל‪.1-‬‬
‫לאחר ‪ td‬נוסף היציאה ‪ 1‬תרגיש את השינוי ותתחלף גם היא מ‪ 0-‬ל‪.1-‬‬
‫‪td‬‬
‫‪t‬‬
‫‪N2‬‬
‫‪t‬‬
‫‪1‬‬
‫‪t‬‬
‫‪2‬‬
‫‪t‬‬
‫כאשר השעון יורד ל‪ 0-‬השער ‪ NOR1‬מקבל מיידית את הערכים ‪ 10‬ומוציא ‪.0‬‬
‫לכן היציאה ‪ N1‬יורדת ל‪ 0-‬מיידית‪ .‬כעת עובר זמן ‪ t d‬נוסף והיציאה ‪ 1‬משנה‬
‫את ערכה ל‪ 0-‬לוגי חזרה ובכך משתנות הכניסות של שער ‪ NOR2‬ל‪ 00-‬חזרה אשר מעלות את הערך ב‪ N 2 -‬חזרה ל‪.1-‬‬
‫קיבלנו פולסי שעון לא חופפים כפי שרצינו‪.‬‬
‫רבי רטט – ‪:Multivibrators‬‬
‫יש לנו שלושה מצבים‪:‬‬
‫‪ .1‬דו יציב – ‪.bi-stable‬‬
‫‪ .2‬חד יציב – ‪.Monostable‬‬
‫‪ .3‬אל יציב – ‪.Astable‬‬
‫מצב דו‪-‬יציב ‪:Bi-stable‬‬
‫האופיין של מצב דו יציב הוא‪:‬‬
‫‪R1‬‬
‫פונקצית המוצא היא‪ V  :‬‬
‫‪R1  R2‬‬
‫‪R1‬‬
‫‪   s  ‬הוא גורם המשוב‪.‬‬
‫כאשר‪:‬‬
‫‪R1  R2‬‬
‫נרצה להיות בתחום הליניארי של המגבר‪.‬‬
‫‪‬‬
‫נניח למען המציאות כי בכניסת המגבר יש איזשהו רעש‪. V  0    :‬‬
‫‪Vout‬‬
‫המוצא ברגע ‪ 0‬יהיה‪ Vout  0   A :‬והמשוב ייתן לאחר פרק זמן קטן‪. V   t   Vout  0   A   :‬‬
‫התהליך ימשיך לגדול עד שהטרנזיסטור יגיע לרוויה ואז‪ Vout  t2   Vout  t1  :‬עבור‪. t2  t1 :‬‬
‫מתח המוצא יעלה עד למתח הרוויה ‪ . L‬באותו האופן‪ ,‬אם היינו מתחילים ב‪ V   0    -‬היינו מגיעים בסוף ל‪. L -‬‬
‫‪‬‬
‫‪| 22‬‬
‫‪N1‬‬
‫מעגלים אלקטרונים ספרתיים ‪ -‬סיכום ועריכה מאת שי ידרמן‬
‫נחבר מקור מתח לכניסה‪:‬‬
‫כאשר המתח מחובר לרגל ה‪ "-"-‬נקבל את האופיין הבא‪:‬‬
‫נתחיל ממתח שלילי‪. Vin  0 :‬‬
‫אז‪ Vout  L :‬כי‪ . V    L :‬כאשר נעבור את מתח הסף‪ L  VTH :‬‬
‫נקבל היפוך של המוצא לערך ‪. L‬‬
‫כאשר מתח הכניסה חיובי ויורד כלפי השלילי נקבל את התהליך ההפוך‪.‬‬
‫כשמחברים את הגרפים מקבלים את האופיין‪.Inverted Hysteresis :‬‬
‫כאשר נחבר את הכניסה להדק החיובי נקבל את‪:Non-inverting Schmitt trigger :‬‬
‫‪‬‬
‫‪R1‬‬
‫‪R‬‬
‫‪R ‬‬
‫‪R‬‬
‫‪R‬‬
‫נבטא‪Vout  Vin   Vin  1 Vout  Vin 1  1   Vin 2  Vout 1  0 :‬‬
‫‪R1  R2‬‬
‫‪R1  R2‬‬
‫‪R1  R2‬‬
‫‪R1  R2‬‬
‫‪ R1  R2 ‬‬
‫‪R1‬‬
‫‪R‬‬
‫השווינו לאפס מכיוון ש‪ V   V  -‬לפי כללי הזהב‪ .‬נקבל‪, VTH   L 1 :‬‬
‫‪R2‬‬
‫‪R2‬‬
‫‪V ‬‬
‫‪. VTL   L‬‬
‫שתי צורות סימון מקובלות למצב הדו‪-‬יציב הן‪:‬‬
‫מצב אל‪-‬יציב‪:Astable :‬‬
‫מעגל שמתנדנד כל הזמן‪.‬‬
‫‪| 22‬‬
‫מעגלים אלקטרונים ספרתיים ‪ -‬סיכום ועריכה מאת שי ידרמן‬
‫הנגד והקבל קובעים את קבוע הזמן האחראי על זמן הפולס‪.‬‬
‫גרף הטעינה‪:‬‬
‫‪. V  L   L   L  et / ;   RC‬‬
‫‪ 1   L / L ‬‬
‫‪‬‬
‫‪. T1   ln ‬‬
‫כאשר‪ . V T1    L :‬נקבל‪ :‬‬
‫‪ 1 ‬‬
‫‪‬‬
‫גרף הפריקה‪:‬‬
‫‪ 1  L / L ‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪ t /‬‬
‫‪. T2   ln ‬‬
‫‪ V  t   L   L   L  e‬כאשר‪ :‬‬
‫‪1‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫זמן המחזור‪ . T  T1  T2 :‬בד"כ‪ L   L :‬ואז‪.DC=50% :‬‬
‫תפוקת גל משולש‪:‬‬
‫התחלנו בגל ריבועי מ‪ L -‬או מ‪. L -‬‬
‫כתוצאה מכך הזרם על הקבל הוא קבוע בזמן‪.‬‬
‫הקבל אוגר אותו וסוכמים את המתח עליו‪.‬‬
‫לכן מקבלים גרף ליניארי‪.‬‬
‫‪L‬‬
‫קבוע זורם בקבל‪.‬‬
‫נניח שבמוצא ‪ V2  L‬זרם‪:‬‬
‫‪R‬‬
‫‪L‬‬
‫‪V V‬‬
‫‪ . ‬מצב זה ימשיך עד ‪ VTL‬שבו‪ . V2  L :‬הזמן הוא‪. T1  RC TH  TL :‬‬
‫לכן נקבל גרף בעל שיפוע‬
‫‪RC‬‬
‫‪L‬‬
‫‪V V‬‬
‫‪L VTH  VTL‬‬
‫‪‬‬
‫(אופן החישוב של הזמנים מתוך גרף המשולש‪ T1  RC TH  TL :‬‬
‫‪ - tan  ‬כאשר ‪ ‬זווית השיפוע)‪.‬‬
‫‪RC‬‬
‫‪T1‬‬
‫‪L‬‬
‫‪V V‬‬
‫באותו האופן‪. T2  RC TH  TL :‬‬
‫‪L‬‬
‫עד כאן הרצאה ‪ .8‬תאריך‪13.5.12 :‬‬
‫‪| 22‬‬
‫מעגלים אלקטרונים ספרתיים ‪ -‬סיכום ועריכה מאת שי ידרמן‬